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研究業績
研究論文 2022/2021/2020/2019/2018/2017/2016/2015/2014/2013/2012/2011/2010/2009
研究発表 2022/2021/2020/2019/2018/2017/2016/2015/2014/2013/2012/2011/2010/2009
研究論文
2020
  1. ‘‘Propagation of threading dislocations and effects of Burgers vectors in HVPE-grown GaN bulk crystals on Na-flux-grown GaN substrates’’, T. Hamachi, T. Tohei, Y. Hayashi, M. Imanishi, S. Usami, N. Ikarashi, Y. Mori, and A. Sakai, Journal of Applied Physics 129, 225701 (2021).
  2. ‘‘Analysis of inverse-piezoelectric-effect-induced lattice deformation in AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors by time-resolved synchrotron radiation nanobeam X-ray diffraction’’, H. Shiomi, A. Ueda, T. Tohei, Y. Imai, T. Hamachi, K. Sumitani, S. Kimura, Y. Ando, T. Hashizume and A. Sakai, Applied Physics Express 14, 095502 (2021).
  3. ‘‘Thermal strain analysis considering in-plane anisotropy for sputtered AlN on c- and a- plane sapphire under high-temperature annealing’’, Y. Hayashi, K. Uesugi, K. Shojiki, T. Tohei, A. Sakai, and H. Miyake, AIP Advances 11, 095012 (2021).

2020
  1. ‘‘Local piezoelectric property in Na-flux GaN bulk single crystals’’, A. Ueda, T. Hamachi, A. Okazaki, S. Takeuchi, T. Tohei, M. Imanishi, M. Imade, Y. Mori, and A. Sakai, Journal of Applied Physics 128, 125110 (2020).
  2. ‘‘Fabrication of GaOx based crossbar array memristive devices and their resistive switching properties’’, Mamoru Joko, Yusuke Hayashi, Tetsuya Tohei, and Akira Sakai, Japanese Journal of Applied Physics 59, SMMC03 (2020).

2019
  1. ‘‘Local current leakage at threading dislocations in GaN bulk single crystals grown by a modified Na-flux method’’, T. Hamachi, T. Tohei, M. Imanishi, Y. Mori, and A. Sakai, Japanese Journal of Applied Physics 58, 050918 (2019).
  2. ”Quantitative analysis of lattice plane microstructure in the depth direction of a modified Na-flux GaN crystal using nanobeam X-ray diffraction”, K. Shida, N. Yamamoto, T. Tohei M. Imanishi, Y. Mori, K. Sumitani, Y. Imai, S. Kimura, and A. Sakai, Japanese Journal of Applied Physics 58, SCCB16 (2019).
  3. "Correlation between current leakage and structural properties of threading dislocations in GaN bulk single crystals grown using a Na-flux method", T. Hamachi, T. Tohei, M. Imanishi, Y. Mori, and A. Sakai, Japanese Journal of Applied Physics 58, SCCB23 (2019).
  4. "Demonstrative operation of four-terminal memristive devices fabricated on reduced TiO2 single crystals", Shotaro Takeuchi, Takuma Shimizu, Tsuyoshi Isaka, Tetsuya Tohei, Nobuyuki Ikarashi & Akira Sakai, Scientific Reports 9, 2601 (2019).
  5. "Gate Tuning of Synaptic FunctionsBased on Oxygen Vacancy Distribution Control in Four-Terminal TiO2−x Memristive Devices", Zenya Nagata, Takuma Shimizu, Tsuyoshi Isaka, Tetsuya Tohei, Nobuyuki Ikarashi & Akira Sakai, Scientific Reports 9, 10013 (2019).

2018
  1. “Analysis of Ti valence states in resistive switching regions of a rutile TiO2− x four-terminal memristive device”, Kengo Yamaguchi et al 2018 Jpn. J. Appl. Phys. 57 06KB02.
  2. “Leakage current analysis for dislocations in Na-flux GaN bulk single crystals by conductive atomic force microscopy“, T. Hamachi, S. Takeuchi, T. Tohei, M. Imanishi, M. Imade, Y. Mori, and A. Sakai Journal of Applied Physics 123, 161417 (2018).
  3. “Resistive switching characteristics of isolated core-shell iron oxide/germanium nanocrystals epitaxially grown on Si substrates“,Hideki Matsui, Takafumi Ishibe, Tsukasa Terada, Shunya Sakane, Kentaro Watanabe, Shotaro Takeuchi, Akira Sakai, Shigeru Kimura, and Yoshiaki Nakamura. Appl. Phys. Lett. 112, 031601 (2018)
  4. “Microstructural analysis in the depth direction of a heteroepitaxial AlN thick film grown on a trench-patterned template by nanobeam X-ray diffraction“,K. Shida, S. Takeuchi, T. Tohei, H. Miyake, K. Hiramatsu, K. Sumitani, Y. Imai, S. Kimura, and A. Sakai Journal of Applied Physics 123, 161563 (2018)
  5. ”Depth-resolved analysis of lattice distortions in high-Ge-content SiGe/composition-ally graded SiGe films using nanobeam X-ray diffraction”, K. Shida, S. Takeuchi, T. Tohei, Y. Imai, S. Kimura, A. Schulze, M. Caymax, and A. Sakai, Semiconductor Science and Technology 33, 124005 (2018).

2017
  1. “Tomographic Mapping Analysis in the Depth Direction of High-Ge- Content SiGe Layers with Compositionally Graded Buffers Using Nanobeam X‐ray Diffraction”,Kazuki Shida,† Shotaro Takeuchi,*,† Yasuhiko Imai,‡ Shigeru Kimura,‡ Andreas Schulze,§ Matty Caymax,§ and Akira Sakai*,†. ACS Appl. Mater. Interfaces 2017, 9, 13726−13732
  2. “Control of dislocation morphology and lattice distortion in Na-flux GaN crystals”, S. Takeuchi, Y. Mizuta, M. Imanishi, M. Imade, Y. Mori, K. Sumitani, Y. Imai, S. Kimura, and A. Sakai. Journal of Applied Physics 122, 105303 (2017)
  3. “Quantification of local strain distributions in nanoscale strained SiGe FinFET structures”, Shogo Mochizuki, Conal E. Murray, Anita Madan, Teresa Pinto, Yun-Yu Wang, Juntao Li, Weihao Weng, Hemanth Jagannathan, Yasuhiko Imai, Shigeru Kimura, Shotaro Takeuchi, and Akira Sakai. Journal of Applied Physics 122, 135705 (2017)
  4. “Study on the influence of different trench-patterned templates on the crystalline microstructure of AlN epitaxial films by X-ray microdiffraction”, Dinh Thanh Khan1*, Shotaro Takeuchi2, Yoshiaki Nakamura2, Kunihiko Nakamura2, Takuji Arauchi2, Hideto Miyake3, Kazumasa Hiramatsu3, Yasuhiko Imai4, Shigeru Kimura4, and Akira Sakai2. Japanese Journal of Applied Physics 56, 025502 (2017)
  5. “Epitaxial multilayers of β-FeSi2 nanodots/Si for Si-based nanostructured electronic materials”, S. Sakane, M. Isogawa, K. Watanabe, J. Kikkawa, S. Takeuchi, A. Sakai, and Y. Nakamura, J. Vac. Sci. Technol. A 35, 041402 (2017).
  6. “Tomographic Mapping Analysis in the Depth Direction of High-Ge-Content SiGe Layers with Compositionally Graded Buffers using Nanobeam X-ray Diffraction“, K. Shida, S. Takeuchi, Y. Imai, S. Kimura, A. Schulze, M. Caymax, and A. Sakai, Appl. Mater. Interfaces, 9, 13726 (2017).
  7. “Study on the influence of different terench-patterned template on the crystalline microstructure of AlN epitaxial films by X-ray microdiffraction“, D. T. Khan, S. Takeuchi, Y. Nakamura, K. Nakamura, T. Arauchi, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Imai, S. Kimura, and A. Sakai, Jpn. J. Appl. Phys. 56, 025502 (2017).

2016
  1. “Independent control of electrical and heat conduction by nanostructure designing for Si-based thermoelectric materials”, S. Yamasaka, K. Watanabe, S. Sakane, S. Takeuchi, A. Sakai, K. Sawano and Y. Nakamura, Sci. Rep. 6, 22838 (2016).
  2. “Fabrication of Carrier-Doped Si Nanoarchitecture for Thermoelectric Material by Ultrathin SiO2 Film Technique”, T. Ueda, S. Sakane, T. Ishibe, K. Watanabe, S. Takeuchi, A. Sakai, and Y. Nakamura, J. Electronic Materials 45, 1914 (2016).
  3. “Positional dependence of defect distribution in semipolar (20-21) hydride vapor phase epitaxy-GaN films grown on (22-43) patterned sapphire substrates”, T. Uchiyama, S. Takeuchi, S. Kamada, T. Arauchi, Y. Hashimoto, K. Yamane, N. Okada, Y. Imai, S. Kimura, K. Tadatomo, and A. Sakai, Jpn, J. Appl. Phys. 55, 05FA07 (2016).
  4. “Epitaxial iron oxide nanocrystals with memory function grown on Si substrates”, T. Ishibe, H. Matsui, K. Watanabe, S. Takeuchi, A. Sakai, and Y. Nakamura, Appl. Phys. Express 9, 055508 (2016).
  5. “Microstructural analysis for an epitaxial AlN thick film/trench-patterned template by three-dimensional reciprocal lattice space mapping technique”, S. Kamada, S. Takeuchi, D. T. Khan, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Imai, S. Kimura, and A. Sakai, Appl. Phys. Express, S. Kamada, S. Takeuchi, D. T. Khan, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Imai, S. Kimura, and A. Sakai, Appl. Phys. Express 9, 111001 (2016).

2015
  1. “Dislocation confinement in the growth of Na flux GaN on metalorganic chemical vapor deposition-GaN " , S. Takeuchi, H. Asazu, M. Imanishi, Y. Nakamura, M. Imade, Y. Mori, and A. Sakai, J. Appl. Phys. 118, 245306 (2015).
  2. “Phonon transport control by nanoarchitecture including epitaxial Ge nanodots for Si-based thermoelectric materials”, S. Yamasaka, Y. Nakamura, T. Ueda, S. Takeuchi, and A. Sakai, Sci. Rep. 5, 14490 (2015).
  3. " Formation and optical properties of Ge films grown on Si(1 1 1) substrates using nanocontact epitaxy",Kazuki Tanaka, Yoshiaki Nakamura, Shuto Yamasaka, Jun Kikkawa, Takenobu Sakai, Akira Sakai, Applied Surface Science 325, 170 (2015).
  4. " Microscopic crystalline structure of a thick AlN film grown on a trench-patterned AlN/α-Al2O3 template", D. T. Khan, S. Takeuchi, Y. Nakamura, K. Nakamura, T. Arauchi, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Imai, S. Kimura, and A. Sakai, J. Cryst. Growth 411, 38 (2015).
  5. "Thickness and growth condition dependence of crystallinity in semipolar (20-21) GaN films grown on (22-43) patterned sapphire substrates", S. Takeuchi, T. Uchiyama, T. Arauchi, Y. Hashimoto, Y. Nakamura, K. Yamane, N. Okada, K. Tadatomo, and A. Sakai, Phys. Status Solidi B 252, 1142 (2015).
  6. "Crystalline property analysis of semipolar (20-21) GaN on (22-43) patterned sapphire substrate by X-ray microdiffraction and transmission electron microscopy", T. Arauchi, S. Takeuchi, Y. Hashimoto, Y. Nakamura, K. Yamane, N. Okada, Y. Imai, S. Kimura, K. Tadatomo, and A. Sakai, Phys. Status Solidi B 252, 1149 (2015).
  7. "Myoglobin-based non-precious metal carbon catalysts for an oxgen reduction reaction", A. Onoda, Y. Tanaka, T. Ono, S. Takeuchi, A. Sakai, and T. Hayashi, J. Porphyrins Phthalocyanines 19, 510 (2015).
  8. "Fabrication of Si Thermoelectric Nanomaterials Containing Ultrasmall Epitaxial Ge Nanodots with an Ultrahigh Density", S. Yamasaka, Y. Nakamura, T. Ueda, S. Takeuchi, Y. Yamamoto, S. Arai, T. Tanji, N. Tanaka, and A. Sakai, J. Electronic Materials 44, 2015 (2015).
  9. "Anomalous reduction of thermal conductivity in coherent nanocrystal architecture for silicon thermoelectric material", Y. Nakamura, M. Isogawa, T. Ueda, S. Yamasaka, H. Matsui, J. Kikkawa, S. Ikeuchi, T. Oyake, T. Hori, J. Shiomi, and A. Sakai, Nano Energy 12, 845 (2015)

2014
  1. "In situ doped epitaxial growth of highly dopant-activated n(+)-Ge layers for reduction of parasitic resistance in Ge-nMISFETs" Y. Moriyama, Y. Kamimuta, Y. Kamata, K. Ikeda, A. Sakai, and T. Tezuka, Appl. Phys. Express 7, 106501 (2014).
  2. "Self-assembly of Ge clusters on highly oriented pyrolytic graphite surfaces", Masayuki Shimonaka, Yoshiaki Nakamura, Jun Kikkawa, Akira Sakai, Surface Science 628, 82 (2014).
  3. "Control of epitaxial growth of Fe-based nanocrystals on Si substrates using well-controlled nanometer-sized interface", Yoshiaki Nakamura, Ryota Sugimoto, Takafumi Ishibe, Hideki Matsui, Jun Kikkawa, and Akira Sakai, J. Appl. Phys. 115, 044301 (2014).
  4. "Improvement effect of electrical properties in post-annealed waferbonded Ge(001)-OI substrate", Shuto Yamasaka, Yoshiaki Nakamura, Osamu Yoshitake, Jun Kikkawa, Koji Izunome, and Akira Sakai Phys. Status Solidi A 211, 601 (2014) .
  5. "Anisotropic crystalline morphology of epitaxial thick AlN films grown on triangular-striped AlN/sapphire template", Takuji Arauchi, Shotaro Takeuchi, Kunihiko Nakamura, Dinh Thanh Khan, Yoshiaki Nakamura, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu, and Akira Sakai Phys. Status Solidi A 211, 731 (2014).
  6. "Dislocation behavior of surface-oxygen-concentration controlled Si wafers", Hirotada Asazu, Shotaro Takeuchi, Hiroya Sannai, Haruo Sudob, Koji Araki, Yoshiaki Nakamura, Koji Izunome, Akira Sakai Thin Solid Films 557, 106 (2014).
  7. "Ultrathin-body Ge-on-insulator wafers fabricated with strongly bonded thin Al2O3/SiO2 hybrid buried oxide layers", Y. Moriyama, K. Ikeda, S. Takeuchi, Y. Kamimuta, Y. Nakamura, K. Izunome, A. Sakai, and T. Tezuka, Appl. Phys. Express 7, 086501 (2014).


2013
  1. "Fabrcation of bonded GeOI substrates with thin Al2O3/SiO2 buried oxidelayers", Y. Moriyama, K. Ikeda, Y. Kamimuta, M. Oda, T. Irisawa, Y. Nakamura, A. Sakai, T. Tezuka, Solid-State Electronics 83, 42 (2013).
  2. "Structural analysis of vicinal Si(110) surfaces with various off-angles", M. Yamashita, Y. Nakamura., A. Yamamoto, J. Kikkawa, K. Izunome, A. Sakai, Appl. Surf. Sci. 267, 136 (2013).
  3. "Formation mechanism of peculiar structures on vicinal Si(110) surfaces", M. Yamashita, Y. Nakamura., R. Sugimoto, J. Kikkawa, K. Izunome, A. Sakai, Appl. Surf. Sci. 267, 53(2013).
  4. "Cross-sectional X-ray microdiffraction study of a thick AlN film grown on a trench-patterned AlN/α-Al2O3 template", D.T. Khan, S. Takeuchi, J. Kikkawa, Y. Nakamura, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Imai, S. Kimura, O. Sakata, A. Sakai, Journal of Crystal Growth 381, 37(2013).
  5. "Characterization of Ge Films on Si(001) Substrates Grown by Nanocontact Epitaxy", Wataru Ikeda, Yoshiaki Nakamura*, Shogo Okamoto, Shotaro Takeuchi, Jun Kikkawa, Masakazu Ichikawa, Akira Sakai, Jpn. J. Appl. Phys. 52, 095503 (2013).
  6. "Influence of nanometer-sized interface on reaction of iron nanocrystals epitaxially grown on silicon substrates with oxygen gas", Hironobu Hamanaka, Yoshiaki Nakamura, Takafumi Ishibe, Jun Kikkawa, and Akira Sakai J. Appl. Phys. 114, 114309 (2013).
2012
  1. "Electrical characterization of wafer-bondedGe(111)-on-insulator substrates using four-point-probe pseudo-MOSFET", K. Minami, Y. Nakamura, S. Yamasaka, O. Yoshitake, J. Kikkawa, K. Izunome, and A. Sakai, Thin Solid Films 520, 3232 (2012).
  2. "Vertical dislocations in Ge films selectively grown in submicron Si windows of patterned substrates", S. Harada, J. Kikkawa, Y. Nakamura, G. Wang, M. Caymax , and A. Sakai, Thin Solid Films 520, 3245 (2012).
2011
  1. "Annealing Effects on Ge/SiO2 interface Structure in wafer-bonded germanium-on-insulator substrates", O. Yoshitake, J. Kikkawa, Y. Nakamura, A. Sakai, E. Toyoda, H. Isogai and K. Izunome, Jpn. J. Appl. Phys. 50, 04DA13 (2011).
  2. "Electrical characterization of wafer-bonded germanium-on-insulator substrates using a four-point-probe pseudo-MOSFET", Y. Iwasaki, Y. Nakamura, J. Kikkawa, A. Sakai, M. Sato, E. Toyoda, H. Isogai, and K. Izunome, Jpn. J. Appl. Phys. 50, 04DA14 (2011).
  3. "X-ray microdiffraction investigation of crystallinity and strain relaxation in Ge thin lines selectively grown on Si(001) substrates", K. Ebihara, J. Kikkawa, Y. Nakamura, A. Sakai, G. Wang, M. Caymax, Y. Imai, S. Kimura, and O. Sakata, Solid-State Electron., 60, 26 (2011).
  4. "Self-organization of two-dimensional SiGe nanodot arrays using selective etching of pure-edge dislocation network", Y. Nakamura, M. Takahashi, T. Fujiwara, J. Kikkawa, A. Sakai, O. Nakatsuka, and S. Zaima, J. Appl. Phys. 109, 044301 (2011).
  5. "Structural change during the formation of directly bonded silicon substrates", T. Kato, T. Ueda, Y. Ohara, J. Kikkawa, Y. Nakamura, A. Sakai, O. Nakatsuka, S. Zaima, E. Toyoda, K. Izunome, Y. Imai, S. Kimura, and O. Sakata, Key Eng. Mater. 470, 158 (2011).
  6. "Microscopic structure of directly bonded silicon substrates", T. Kato, Y. Ohara, T. Ueda, J. Kikkawa, Y. Nakamura, A. Sakai, O. Nakatsuka, M. Ogawa, S. Zaima, E. Toyoda, H. Isogai, T. Senda, K. Izunome, H. Tajiri, O. Sakata, and S. Kimura, Key Eng. Mater. 470, 164 (2011).
  7. "Structural analysis of Si-based nanodot arrays self-organized by selective etching of SiGe/Si films", M. Takahashi, Y. Nakamura, J. Kikkawa, O. Nakatsuka, S. Zaima1, and A. Sakai, Jpn. J. Appl. Phys. 50, 08LB11 (2011).
  8. "Effect of low-energy Ga ion implantation on selective growth of gallium nitride layer on silicon nitride surfaces using metal-organic chemical vapor deposition", K. Ishiizumi, J. Kikkawa, Y. Nakamura, A. Sakai, and J. Yanagisawa, Jpn. J. Appl. Phys. 50, 06GC02 (2011).
2010
  1. "X-ray Microdiffraction Study on Crystallinity of Micron-Sized Ge Films Selectively Grown on Si(001) Substrates", K. Ebihara, S. Harada, J. Kikkawa, Y. Nakamura, A. Sakai, G. Wang, M. Caymax, Y. Imai, S. Kimura, and O. Sakata, ECS Trans. 33, 887 (2010).
  2. "Structural change of direct silicon bonding substrates by interfacial oxide out-diffusion annealing", T. Kato, Y. Nakamura, J. Kikkawa, A. Sakai, E. Toyoda, K. Izunome, O. Nakatsuka, S. Zaima, Y. Imai, S. Kimura, and O. Sakata, Thin Solid Films 518, S147 (2010).
  3. "Metal-organic chemical vapor deposition of high-dielectric-constant praseodymium oxide films using a cyclopentadienyl precursor”, H. Kondo, S. Sakurai, M. Sakashita, A. Sakai, M. Ogawa, and S. Zaima, Appl. Phys. Lett. 95, 012105 (2010).
  4. "Low temperature growth of Ge1-xSnx buffer layers for tensile?strained Ge layers”, Y. Shimura, N. Tsutsui, O. Nakatsuka, A. Sakai, and S. Zaima, Thin Solid Films 518 (6), pp. S2-S5 (2010).
  5. “Use of p- and n-type vapor phase doping and sub-melt laser anneal for extension junctions in sub-32 nm CMOS technology”, N.D. Nguyen, E. Rosseel, S. Takeuchi, J.-L. Everaert, L. Yang, J. Goossens, A. Moussa, T. Clarysse, O. Richard, H. Bender, S. Zaima, A. Sakai, R. Loo, J.C. Lin, W. Vandervorst, M. Caymax, Thin Solid Films 518 (6), pp. S48-S52 (2010).
  6. “Structural change of direct silicon bonding substrates by interfacial oxide out-diffusion annealing”, T. Kato, Y. Nakamura, J. Kikkawa, A. Sakai, E. Toyoda, K. Izunome, O. Nakatsuka, S. Zaima, Y. Imai, S. Kimura, O. Sakata, Thin Solid Films 518 (6), pp. S147-S150 (2010).
  7. “Mobility Behavior of Ge1-xSnx Layers Grown on Silicon-on-Insulator Substrates”, O. Nakatsuka, N. Tsutsui, Y. Shimura, S. Takeuchi, A. Sakai, S. Zaima Jpn. J. Appl. Phys., in press.
2009
  1. “Mechanical properties and chemical reactions at the directly bonded Si-Si interface”, E. Toyoda, A. Sakai, T. Senda, H. Isogai, K. Izunome, O. Nakatsuka, M. Ogawa, S. Zaima, Jpn. J. Appl. Phys. 48, pp. 011202-1-5 (2009).
  2. “Characterization and Analyses of Interface Structures in Directly Bonded Si(011)/Si(001) Substrates”, E. Toyoda, A. Sakai, H. Isogai, T. Senda, K. Izunome, K. Omote, O. Nakatsuka, S. Zaima, Jpn. J. Appl. Phys. 48, pp. 021208-1-4 (2009).
  3. “Thermal Stability and Scalability of Mictamict Ti-Si-N Metal-Oxide-Semiconductor Gate Electrodes”, H. Kondo, K. Furumai, M. Sakashita, A. Sakai, and S. Zaima, Jpn. J. Appl. Phys. 48, pp. 04C012-1-5 (2009).
  4. “Control of Sn Precipitation and Strain Relaxation in Compositionally Step-Graded Ge1-xSnx Buffer Layers for Tensile-Strained Ge Layers”, Y. Shimura, N. Tsutsui, O. Nakatsuka, A. Sakai, and S. Zaima, Jpn. J. Appl. Phys. 48, pp. 04C130-1-4 (2009).
  5. “Microstructures in directly bonded Si substrates”, Y. Ohara, T. Ueda, A. Sakai, O. Nakatsuka, M. Ogawa, S. Zaima, E. Toyoda, H. Isogai, T. Senda, K. Izunome, H. Tajiri, O. Sakata, S. Kimura, T. Sakata, H. Mori, Solid-State Electronics, 53 (8), pp. 837-840 (2009).
  6. “Novel Method to Introduce Uniaxial Tensile Strain in Ge by Microfabrication of Ge/Si1-xGex Structures on Si(001) Substrates”, T. Mizutani, O. Nakatsuka, A. Sakai, H. Kondo, M. Ogawa, and S. Zaima, Solid-State Electronics 53 (11), pp. 1198-1201 (2009).
  7. “Control of Dislocations and Sn Precipitations for Fabrication of Tensile-strained Ge on Ge1-x Snx Buffer Layer”, Y. Shimura, N. Tsutsui, O. Nakatsuka, A. Sakai, and S. Zaima, Trans. MRS-J, 34 (2), 301-304 (2009).
  8. “Formation of Uniaxial Tensile-strained Ge by Using Micro-patterning of Ge/Si1-xGe x/Si Structures”, T. Mizutani, O. Nakatsuka, A. Sakai, H. Kondo, and S. Zaima, Trans. MRS-J, 34 (2), 305-308 (2009).

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研究発表
2022
  • 第69回応用物理学会春季学術講演会口頭セッション、オンライン開催、2022年3月22日〜3月26日
  1. "酸素空孔分布制御型メモリスタを用いた多機能人工シナプス" 酒井朗,藤平哲也,林侑介
  2. "GaOxメモリスタの抵抗スイッチング特性評価" 佐藤健人,林侑介,藤平哲也,酒井朗
  3. "平面型 TiO2-xメモリスタ素子における抵抗変化領域のその場TEM観察" 谷口奈穂,林侑介,藤平哲也,酒井朗
  4. "スパッタアニールAlN上GaN/AlN 2次元正孔ガス構造の電気特性評価と微細構造解析" 西村海音, 中西悠太, 林侑介, 藤平哲也, Chaudhuri Reet, Cho Yongjin, Xing Huili, Jena Debdeep, 上杉謙二郎, 三宅秀人,酒井朗
  5. "断面・平面TEMによるNPSS上AlN厚膜の微細構造解析" 中西悠太、濱地威明、中島義賢、林侑介、藤平哲也、肖 世玉、正直花奈子、三宅秀人、酒井朗
  6. "深さ分解ナノビームX線回折法によるコーン型NPSS上AlN厚膜の高空間分解能3次元トモグラフィック解析" 中西悠太、林侑介、藤平哲也、隅谷和嗣、今井康彦、木村滋、肖世玉、三宅秀人、酒井朗
  7. "多層極性反転AlNの傾斜面KOHエッチングによる極性判定" 林侑介、中西悠太、藤平哲也、上杉謙次郎、正直花奈子、三宅秀人、酒井朗
  8. "スパッタアニール法で作製したAlN極性反転構造における酸素プラズマ照射効果" 林侑介、Li Jiaying、中西悠太、藤平哲也、上杉謙次郎、正直花奈子、三宅秀人、五十嵐信行、酒井朗
  9. "Structural Analysis on OVPE GaN by Nanobeam X-ray Diffraction" Zhendong WU, Y. Nakanishi, Y. Hayashi, T. Tohei, J. Takino, Y. Imai, K. Sumitani, S. Kimura, and A. Sakai
  10. "アモルファスGaOxを用いたクロスバーアレイメモリスタの抵抗変化特性" 正岡直樹,林侑介,藤平哲也,酒井朗
  11. "GaN自立基板中のらせん成分を含む貫通転位部に形成したショットキー接触におけるリーク特性評価" 濱地威明,藤平哲也,林侑介,宇佐美茂佳,今西正幸,森勇介,酒井朗
  12. "特異的に大きなリーク電流を生じたGaN基板中b=1cらせん転位におけるショットキー接触のI-V-T特性解析" 濱地威明,藤平哲也,林侑介,宇佐美茂佳,今西正幸,森勇介,酒井朗

2021
  • International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices -Science & Technology, Online presentation, November 14th ~ November 16th , 2021
  1. "Temperture-Dependent Resistive Switching Properties of GaOx Memristors up to 600 K" K. Sato, Y. Hayashi, T. Tohei, and A. Sakai
  • ICMaSS 2021 International Conference on Materials and Stystems for Sustinability, Online presentation, November 4th ~ November 6th , 2021
  1. "Operando Measurement of Local Piezoelectric Lattice Strain in AlGaN/GaN HEMT Devices by Synchrotron Radiation Nanobeam X-ray Diffraction" A.Shinada, H. Shiomi, Y. Imai, T. Tohei, Y. Hayashi, S. Kaneki, T. Hashizume, K. Sumitani, S. Kimura and A. Sakai
  • MEMRISYS 2021 4th international Conference on Memristive Materials, Devices & Systems, Online presentation, November 1st ~ November 4th , 2021
  1. "Habituation and Sensitization Properties Mimicked in Four-terminal TiO2-x Memristive Devices" K. Adachi, Y. Hayashi, T. Tohei and A. Sakai
  2. "Pavlovian Conditioning Implemented in Four-terminal TiO2-x Memristive Devices" R. Miyake, K. Adachi, Y. Hayashi, T. Tohei, and A. Sakai
  • 第82回応用物理学会秋季学術講演会口頭セッション、オンライン開催、2021年9月10日〜9月13日
  1. "高温熱処理したスパッタAlN膜のクラック発生条件"林侑介、上杉謙次郎、正直花奈子、三宅秀人、藤平哲也、酒井朗
  2. "HVPE-GaN自立基板の貫通転位におけるショットキー接触の電気特性と微細構造の一対一評価" 濱地威明,藤平哲也,林侑介,今西正幸,宇佐美茂佳, 森勇介,酒井朗
  3. "Analysis of Crystal structure Associated with Dislocation Gathering in Na-flux GaN by Nanobeam X-ray Diffraction"Zhendong WU, Y. Nakanishi, T. Hamachi, Y. Hayashi, T. Tohei, M. Imanishi, Y. Mori, K. Sumitani, Y. Imai, S. Kimura, and A. Sakai
  4. "HVPE-GaN自立基板中単独貫通転位上に作製したショットキー接触における電気特性の温度依存性" 佐藤俊和, 濱地威明,藤平哲也,林侑介,今西正幸,宇佐美茂佳, 森勇介,酒井朗
  5. "コーン型NPSS上AlNテンプレートに成長させたAlN厚膜の微細構造解析"中西悠太、山本望、濱地威明、林侑介、藤平哲也、隅谷和嗣、今井康彦、木村滋、肖世玉、三宅秀人、酒井朗
  6. "第一原理計算に基づく外部電場下におけるルチル型TiO2中の酸素空孔挙動の解析"二宮雅輝、藤平哲也、林侑介、酒井朗
  • International Conference on Solid State Devices and Materials、Online presentation、September 6th ~ September 9th , 2021
  1. "Heterosynaptic Property Demonstrated with Planer Four Terminal Amorphous GaOx Memristive Devices" T. Ikeuchi, Y. Hayashi, T. Tohei, and A. Sakai
  2. "High-Resolution Tomographic Analysis on AlN films Grown on NPSSs Using Nanobeam X-Ray Diffraction" Y. Hayashi, N. Yamamoto, Y. Nakanishi, T. Hamachi, T. Tohei, K. Sumitani, Y. Imai, S. Kimura, K. Shojiki, H. Miyake and A. Sakai
  • 第68回応用物理学会春季学術講演会口頭セッション、オンライン開催、2021年3月16日〜3月19日
  1. "ナノビームX線回折によるHVPE-GaNバルク結晶における単独貫通転位周辺の局所歪解析" 濱地威明,藤平哲也,林侑介,宇佐美茂佳,今西正幸,森勇介,隅谷 和嗣, 今井 康彦, 木村 滋, 酒井朗
  2. "Analysis of Stress and Impurity Evolution Related to Growth Sector in Na-flux GaN by Nanobeam X-ray Diffraction" Zhendong WU, T. Hamachi, Y. Hayashi, T. Tohei, M. Imanishi, Y. Mori, K. Sumitani, Y. Imai, S. Kimura, and A. Sakai
  3. "ナノビームX線回折によるOVPE成長GaN結晶の微細構造解析"栗谷淳、藤平哲也、濱地威明、林侑介、滝野淳一、隅智亮、宇佐美茂佳、今西正幸、森勇介、隅谷和嗣、今井康彦、木村滋、酒井朗
  4. "AlGaN/GaN HEMTデバイスにおける局所圧電格子変形の放射光ナノビームX線回折オペランド計測"塩見春奈、嶋田 章宏、藤平 哲也、林 侑介、金木 奨太、橋詰 保、今井 康彦、隅谷 和嗣、木村 滋、酒井 朗
  5. "ナノビームX線回折法によるNPSS上AlN厚膜の深さ分解結晶性トモグラフィック評価"山本望、林侑介、濱地威明、中西悠太、藤平哲也、隅谷和嗣、今井康彦、木村滋、正直花奈子、三宅秀人、酒井朗
  6. "4端子平面型TiO2-xメモリスタ素子における酸素空孔分布2次元制御に基づくLTP・LTD特性の実装" 安達健太,藤平哲也,林侑介, 酒井朗
  7. "4端子平面型アモルファスGaOxメモリスタ素子の開発と抵抗変化特性評価"池内太志、林侑介、藤平哲也、酒井朗
  • 応用物理学会関西支部2020年第1回+第2回合同講演会、オンライン開催、2021年1月27日
  1. "ルチル型TiO2平面型メモリスタ素子における抵抗変化領域のその場TEM観察" 谷口 奈穂、藤平 哲也、上甲 守治、林 侑介、酒井 朗

2020
  • 第81回応用物理学会秋季学術講演会、オンライン開催、2020年9月8日〜9月11日
  1. "HVPE-GaNバルク結晶における貫通転位の3次元的形態とバーガースベクトルの関係" 濱地威明,藤平哲也,林侑介,今西正幸,森勇介,五十嵐信行,酒井朗
  2. "HVPE-GaNバルク結晶におけるa及びa+cタイプ貫通転位の3次元的伝播挙動の解析" 濱地威明,藤平哲也,林侑介,今西正幸,森勇介,酒井朗
  3. "Structural Analysis of Na-flux GaN by Nanobeam X-ray Diffraction: Local Lattice Constant Variation Depending on the Growth Mode"Zhendong WU, K. Shida, T. Hamachi, Y. Hayashi, T. Tohei, M. Imanishi, Y. Mori, K. Sumitani, Y. Imai, S. Kimura, and A. Sakai
  4. "OVPE法で成長したGaNバルク単結晶の微細構造解析"栗谷淳、藤平哲也、濱地威明、林侑介、滝野淳一、隅智亮、今西正幸、森勇介、隅谷和嗣、今井康彦、木村滋、酒井朗
  5. "アモルファス酸化ガリウムを用いたメモリスタの抵抗変化特性およびシナプス特性"上甲 守治、池内 太志、林 侑介、藤平 哲也、酒井 朗
  6. "N-PSS上スパッタ堆積アニールAlNテンプレートに成長させたAlN厚膜の微細構造解析" 山本望、濱地威明、林侑介、藤平哲也、三宅秀人、酒井朗
  7. "4端子平面型TiO2-xメモリスタ素子におけるドナーイオン分布2次元制御に基づくSTP・LTP特性の実装"安達健太,三宅亮太郎,藤平哲也,林侑介,酒井朗
  8. "AlGaN/GaN HEMTデバイスにおける局所圧電格子変形の放射光ナノビームX線回折オペランド計測"嶋田 章宏、塩見 春奈、藤平 哲也、林 侑介、金木 奨太、橋詰 保、今井 康彦、隅谷 和嗣、木村 滋、酒井 朗
  • The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology、Online presentation、March 1st , 2021~ March 3rd , 2021
  1. "Structural Analysis of Na-flux GaN by Nanobeam X-ray Diffraction: Local Lattice Constant Variation Depending on the Growth Sector" Zhendong WU, K. Shida, T. Hamachi, Y. Hayashi, T. Tohei, M. Imanishi, Y. Mori, K. Sumitani, Y. Imai, S. Kimura, and A. Sakai

2019
  • 第67回応用物理学会春季学術講演会、上智大学四谷キャンパス、2020年3月12日〜3月15日
  1. "第一原理計算による外部電場下におけるルチル型TiO2 中の酸素空孔挙動解析" 井阪健,藤平哲也,林侑介,酒井朗
  2. "4端子平面型TiO2-xメモリスタ素子におけるパブロフ型条件付けの実装" 三宅 亮太郎,林 侑介, 藤平 哲也,酒井 朗
  3. "ナノビームX線回折法による高Ge組成SiGe/組成傾斜SiGe/Si積層構造の深さ分解結晶性トモグラフィック評価"志田 和己,藤平 哲也,林 侑介,隅谷 和嗣,今井 康彦,木村 滋,酒井 朗
  4. "Na-flux-GaN上に育成したHVPE-GaNバルク単結晶における貫通転位の形態と漏れ電流特性の評価"濱地 威明,藤平 哲也,林 侑介,今西 正幸,森 勇介,酒井 朗
  • 応用物理学会関西支部2019年第3回支部講演会、産業技術総合研究所 関西センター、2020年2月21日
  1. "高Ge添加NaフラックスGaN結晶の特異構造解析" 古賀一朗,林侑介,藤平哲也,佐藤隆,三好直哉,村上明繁,皿山正二,今井康彦,隅谷和嗣,木村滋,酒井朗
  2. "Oxide-Vapor-Phase-Epitaxy法で成長したGaNバルク単結晶の微細構造解析" 栗谷淳,藤平 哲也,志田和己,濱地威明,林 侑介,滝野淳一,隅智亮,今西正幸,森勇介,隅谷和嗣,今井康彦,木村滋,酒井朗
  3. "Nano-patterned sapphire substrate上のスパッタ堆積アニールAlNテンプレートを用いたAlN厚膜の欠陥構造解析" 山本望,濱地威明,林侑介,藤平哲也,三宅秀人,酒井朗
  • 第2回結晶工学×ISYSE 合同研究会、東京大学本郷キャンパス、 2019年11月20日
  1. "HVPE-GaNバルク単結晶中貫通転位における漏れ電流特性に及ぼす転位構造の影響" 濱地威明 ,藤元聖人 ,藤平哲也 ,林侑介 ,今西正幸 ,森勇介 ,酒井朗
  • 2019 International Workshop on Dielectric Thin Films for future electron devices -science and technology- (IWDTF 2019), 2019年11月18日〜11月20日
  1. "Fabrication of GaOx Based Crossbar Array Memristive Devices and Their Resistive Switching Properties" Mamoru Joko, Yusuke Hayashi, Tetsuya Tohei, Akira Sakai
  • 応用物理学会関西支部2019年第2回支部講演会、大阪大学豊中キャンパス、2019年11月8日
  1. "Microstructure analysis of FFC-GaN crystal" Zhendong WU, Kazuki Shida, Takeaki Hamachi, Tetsuya Tohei, Yusuke Hayashi, Masayuki Imanishi, Yusuke Mori, Kazushi Sumitani, Yasuhiko Imai, Shigeru Kimura and Akira Sakai
  2. "GaOxを用いたクロスバーアレイメモリスタの開発と抵抗変化特性" 上甲 守治、林 侑介、藤平 哲也、酒井 朗
  3. "HVPE-GaNバルク単結晶における貫通転位の構造と漏れ電流の関連性" 濱地威明,藤元聖人,藤平哲也,林侑介,今西正幸,森勇介,酒井朗
  • 第3回電子材料若手交流会(ISYSE)研究会、つくばセミナーハウス、2019年11月2日〜11月3日
  1. "HVPE-GaNバルク単結晶における貫通転位の構造と漏れ電流の関連性" 濱地威明,藤元聖人,藤平哲也,林侑介,今西正幸,森勇介,酒井朗
  • International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2019 (ICMaSS 2019)、2019年11月1日〜11月3日
  1. "Atomic and electronic structure analysis of resistive switching regions in rutile TiO2-x based four-terminal memristive devices" Tsuyoshi Isaka, Tetsuya Tohei, Takuma Shimizu, Shotaro Takeuchi, Nobuyuki Ikarasi and Akira Sakai
  • 第80回応用物理学会秋季学術講演会、北海道大学大札幌キャンパス、2019年9月18日〜9月21日
  1. "4端子TiO2-x薄膜メモリスタ素子による シナプス特性の実装" 三宅亮太郎、林侑介、藤平哲也、酒井朗
  2. "組成傾斜層を有するSi基板上高Ge組成SiGe膜の深さ分解ナノビームX線回折評価" 志田和己、 藤平哲也、林侑介、隅谷和嗣、今井康彦、木村滋、酒井朗
  3. "GaOxを用いたクロスバーアレイメモリスタの開発と抵抗変化特性" 上甲 守治、林 侑介、藤平 哲也、酒井 朗
  4. "ハイドライド気相成長GaNバルク単結晶の 単独貫通転位における漏れ電流評価" 濱地威明,藤元聖人,藤平哲也,林侑介,今西正幸,森勇介,酒井朗
  • 2019 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2019)、2019年9月2日〜9月5日
  1. "Oxygen vacancy distribution control for resistive switching of epitaxial TiO2-x thin films in four-terminal memristive devices" Ryotaro Miyake, Zenya Nagata, Tetsuya Tohei, Akira Sakai
  • 13th International Conference on Nitride Semiconductors 2019 (ICNS-13)、2019年7月7日〜7月12日
  1. "Multilateral Investigation of Electrical and Microstructural Properties of Threading Dislocations in Na-flux-grown GaN Crystals" Takeaki Hamachi, Tetsuya Tohei, Masayuki Imanishi, Yusuke Mori, Akira Sakai
  • 第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会、広島大学東広島キャンパス、2019年6月13日〜6月15日
  1. "NaフラックスGaNバルク単結晶における貫通転位の結晶構造と漏れ電流の関連性" 濱地威明、藤平哲也、今西正幸、森勇介、酒井朗
  • 第66回応用物理学会春季学術講演会、東京工業大学大岡山キャンパス、2019年3月9日〜3月12日
  1. "ドナー密度分布制御型メモリスタ素子における抵抗変化機構の有限要素法シミュレーション" 永田善也、藤平哲也、酒井朗
  2. "TiO2-xエピタキシャル薄膜を用いた4端子メモリスタ素子の抵抗変化特性" 三宅亮太郎、藤平哲也、酒井朗
  3. "圧電効果による局所格子変形のナノビーム X 線回折評価" 植田 瑛 , 藤平 哲也 , 橋詰 保 ,今井 康彦 , 隅谷 和嗣 ,木村 滋 , 酒井 朗
  4. "OVPE 法によるホモエピタキシャル GaN 厚膜の欠陥構造評価" 真鍋海希,藤平哲也,滝野淳一, 隅智亮, 今西正幸, 森勇介, 酒井朗
  5. "Na フラックス GaN バルク単結晶の単独転位における漏れ電流特性とバーガースベクトルの解析" 濱地 威明, 藤平 哲也, 今西 正幸, 森 勇介, 酒井 朗
2018
  • International Workshop on Nitride Semiconductors, 2018年11月11日〜11月16日
  1. "Local electrical and structural analysis for threading dislocation in the modified Na-flux GaN bulk single crysta" T. Hamachi, T. Tohei, M. Imanishi, Y. Mori, A. Sakai
  2. "Quantitative analysis of lattice plane microstructure in the growth direction of a modified Na-flux GaN crystal using nanobeam X-ray diffraction" Kazuki Shida, N. Yamamoto, Tetsuya Tohei, Masayuki Imanishi,Yusuke Mori, Kazushi Sumitani, Yasuhiko Imai, Shigeru Kimura, Akira Sakai
  • 第79回応用物理学会秋季学術講演会、名古屋国際会議場、2018年9月18日〜9月21日
  1. "ナノビームX線回折法による改良型NaフラックスGaNバルク単結晶の深さ方向結晶構造解析" ゜志田和己、 山本望、藤平哲也、今西正幸、森勇介、隅谷和嗣、今井康彦、木村滋、酒井朗
  2. "改良型NaフラックスGaN単結晶内単独転位の漏れ電流特性解析" 濱地威明、藤平哲也、今西正幸、森勇介、酒井朗
  • 2018 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2018), 2018年9月9日〜9月13日
  1. "Gate-Tuning of Synaptic Functions Based on the Oxygen Vacancy Distribution Control in Four-Terminal TiO2-x Memristive Devices" Zenya Nagata, Takuma Shimizu, Tsuyoshi Isaka, Tetsuya Tohei, Akira Sakai
  • 第10回放射光学会若手研究会、東京大学本郷キャンパス、2018年9月3日,9月4日
  1. "ナノビームX線回折法を用いた半導体結晶の深さ分解結晶構造解析" 志田和己、藤平哲也、Andreas Schulze、Matty Caymax、三宅秀人、平松和政、隅谷和嗣、今井康彦、木村滋、酒井朗
  • International Symposium on Growth of III-Nitrides, Warsaw, Poland、2018年8月5日〜8月10日
  1. "Leakage current analysis for individual dislocations in the modified Na-flux GaN bulk single crystal" T. Hamachi, S. Takeuchi, T. Tohei, M. Imanishi, M. Imade, Y. Mori, and A. Sakai
  2. "Nanobeam X-ray Diffraction Analysis of Local Lattice Distortions in the Growth Direction of a Modified Na-Flux GaN Bulk Crystal" K. Shida, S. Takeuchi, T. Tohei, M. Imanishi, M. Imade, Y. Mori, K. Sumitani, Y. Imai, S. Kimura, and A. Sakai
  • Joint ISTDM / ICSI 2018 Conference, Potsdam, Germany、2018年5月27日〜5月31日
  1. "Tomographic Mapping Analysis of Lattice Distortions in the Depth Direction of High-Ge-Content SiGe Films with Compositionally Graded Buffer Layers Using Nanobeam X-ray Diffraction" K. Shida, S. Takeuchi, T. Tohei, Y. Imai, S. Kimura, A. Schulze, M. Caymax, and A. Sakai
  • 第65回応用物理学会春季学術講演会、早稲田大学西早稲田キャンパス、2018年3月17日〜3月20日
  1. "ナノビームX線回折法を用いた組成傾斜層を有する高Ge組成SiGe膜の結晶深さ方向格子面微細構造トモグラフィック解析" ○志田和己、 竹内正太郎、 藤平哲也、今井康彦、木村滋、Andreas Schulze、Matty Caymax、酒井朗
  2. "酸素空孔分布制御型4端子メモリスタ素子の抵抗変化特性精密制御" ○清水拓磨、永田善也、竹内正太郎、藤平哲也、酒井朗
  3. "酸素空孔分布制御型4 端子メモリスタ素子における抵抗変化機構の有限要素法シミュレーション" ○永田善也、清水拓磨、竹内正太郎、藤平哲也、酒井朗
  4. "改良型NaフラックスGaN単結晶内の単独転位における漏れ電流特性評価" 〇濱地威明、竹内正太郎、藤平哲也、今西正幸、今出完
  • 21st SANKEN International Symposium The 16th SANKEN Nanotechonology International、2018年1月16日〜1月17日
  1. "Leakage current analysis in GaN-on-GaN p-n diode by conductive atomic force microscopy" S. Mizutani, T. Hamachi, S. Takeuchi, T. Tohei, T. Kachi, S. Sarayama, A. Sakai

2017
  • Institute of Materials and Systems for Sustainability Symposium、2017年11月22日〜11月25日
  1. "Valence State Analysis of Ti in Resistive Switching Region of Rutile TiO2-x Single Crystals Memristor" Kengo Yamaguchi1, Shotaro Takeuchi1, Takuma Shimizu1, Tetsuya Tohei1, Nobuyuki Ikarashi2, Akira Sakai1
  • International Workshop on Dielectric Thin Films for future electron devices science and technology、2017年11月20日〜11月22日
  1. "Resistive Switching Characteristics of Four-Terminal TiO2-x Single Crystal Memristive Devices" Takuma Shimizu, Shotaro Takeuchi, Tetsuya Tohei, Akira Sakai
  • "Analysis of Ti Valence State in Resistive Switching Region of Rutile TiO2-x Four-Terminal Memristive Device " Kengo Yamaguchi, Shotaro Takeuchi, Tetsuya Tohei, Akira Sakai
    • 第6回結晶工学未来塾、東京大学駒場キャンパス先端科学技術研究センター、2017年11月2日
    1. "ナノビームX線回折法による高Ge組成SiGe/組成傾斜SiGeの結晶深さ方向断層マッピング解析" 志田和己、竹内正太郎、今井康彦、木村滋、Andreas Schulze、Matty Caymax、酒井朗
    • 第78回応用物理学会 秋季学術講演会、福岡国際会議場・国際センター・福岡サンパレス、2017年9月6日
    1. "4端子TiO2単結晶構造メモリスタの抵抗変化特性" 清水拓磨、竹内正太郎、藤平哲也、酒井朗
    2. "ルチル型TiO2単結晶微細メモリスタ素子における抵抗変化領域のTEM微構造解析" 山口賢吾, 村上弘弥,清水拓磨,竹内正太郎,藤平哲也,酒井朗
    3. "ナノビームX線回折法による周期溝加工基板上AlN厚膜の結晶深さ方"志田和己、 竹内正太郎、 藤平哲也、三宅秀人、平松和政、隅谷和嗣、今井康彦、木村滋、酒井朗
    4. "圧電応答顕微鏡法によるNaフラックスGaN単結晶の局所圧電物性解析" 植田 瑛, 竹内正太郎, 藤平哲也, 今西正幸, 今出完, 森勇介, 酒井朗
    5. "NaフラックスGaN単結晶内の孤立転位に起因した局所漏れ電流特性" 濱地威明, 竹内正太郎, 藤平哲也, 今西正幸, 今出完, 森勇介, 酒井朗
    • 29th International Conference on Defects in Semiconductors、松江くにびきメッセ、2017年7月31日〜8月4日
    1. "Leakage current analysis for dislocations in Na-flux GaN bulk single crystals by conductive atomic force microscopy" T. Hamachi1, S. Takeuchi1, T. Tohei1, M. Imanishi2, M. Imade2, Y. Mori2, A. Sakai1
    2. "Characterization of local piezoelectric property in Na-flux GaN bulk single crystals" A. Ueda1, S. Takeuchi1, T. Tohei1, M. Imanishi2, M. Imade2, Y. Mori2, A. Sakai1
    3. "In depth microstructural analysis of heteroepitaxial AlN thick films grown on trench-patterned templates by nanobeam X-ray diffraction" ゜Kazuki Shida1, Shotaro Takeuchi1, Tetsuya Tohei1, Hideto Miyake2,3, Kazumasa Hiramatsu3, Kazushi Sumitani4, Yasuhiko Imai4, Shigeru Kimura4, Akira Sakai1
    • 第73回日本顕微鏡学会学術講演会、札幌コンベンションセンター、2017年5月31日
    1. "ルチル型TiO2単結晶メモリスタ微細素子における抵抗変化領域の結晶構造解析" 村上弘弥、山口賢吾、清水琢磨、竹内正太郎、酒井朗
    • 第64回応用物理学会春季学術講演会、パシフィコ横浜、2017年3月14日―17日
    1. “ルチル型TiO2単結晶の酸素空孔分布による抵抗変化の繰返し特性" 清水拓磨、竹内正太郎、酒井朗
    2. “ルチル型TiO2単結晶メモリスタ素子の抵抗変化領域における価電子状態解析"、山口賢吾、竹内正太郎、五十嵐信行、酒井朗
    3. "表層固溶酸素濃度を制御した極薄シリコンウェーハの作製と特性"、母ヶ野和美、竹内正太郎、須藤治生、青木竜彦、荒木浩司、泉妻宏治、酒井朗
    2016
    • The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)
    1. “Interface and dislocation structures in Na flux GaN grown on MOCVD-GaN”, S. Takeuchi, H. Asazu, Y. Mizuta, M. Imanishi, M. Imade, Y. Mori, and A. Sakai, The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18), August 7th - 12th, 2016, Nagoya, Japan.
    2. “Tomographic mapping analysis of high Ge content SiGe epitaxial films with compositionally graded layers by X-ray microdiffraction”, K. Shida, S. Takeuchi, Y. Imai, S. Kimura, and A. Sakai, The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18), August 7th - 12th, 2016, Nagoya, Japan.
    • 7th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VII) and International SiGe Technology and Device Meeting 2016 (ISTDM2016)
    1. “Characterization of local strain in nanoscale strained SiGe FinFET structures”, S. Mochizuki, C. E. Murray, A. Madan, T. Pinto, Y. Y. Wang, J. Li, W. Weng, H. Jagannathan, Y. Imai, S. Kimura, S. Takeuchi, and A. Sakai, 7th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VII) and International SiGe Technology and Device Meeting 2016 (ISTDM2016), June 7-11, 2016, Nagoya, Japan
    • The 20th SANKEN International The 15th SANKEN Nanotechnology Symposium
    1. “Nanobeam X-ray diffraction for tomographic mapping analysis of high Ge content Si1-yGey/compositionally graded Si1-xGex stacked structure”, K. Shida, S. Takeuchi, Y. Imai, S. Kimura, A. Shulze, M. Caymax, and A. Sakai, The 20th SANKEN International The 15th SANKEN Nanotechnology Symposium, December 12-13, 2016, Osaka, Japan.
    2. “Reversible resistive switching by the voltage-driven control of oxygen vacancy distribution in four terminal planar TiO2-x-based devices”, T. Shimizu, M. Shimotani, S. Takeuchi, and A. Sakai, The 20th SANKEN International The 15th SANKEN Nanotechnology Symposium, December 12-13, 2016, Osaka, Japan.
    3. “Lattice plane microstructure analysis of Na-flux GaN bulk crystals by nanobeam X-ray diffraction”, Y. Mizuta, S. Takeuchi, M. Imanishi, M. Imade, Y. Imai, S. Kimura, Y. Mori, and A. Sakai, The 20th SANKEN International The 15th SANKEN Nanotechnology Symposium, December 12-13, 2016, Osaka, Japan.
    • The 7th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials
    1. “Tomographic mapping analysis of high Ge composition SiGe layers with compositionally graded buffers by Nanobeam X-ray diffraction”, K. Shida, S. Takeuchi, Y. Imai, S. Kimura, A. Shulze, M. Caymax, and A. Sakai, The 7th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials, November 21-25, 2016, Hawaii, USA.
    2. “Nano beam X-ray diffraction analysis of microstructures in Na-flux GaN bulk crystals grown with controlling seed crystal surfaces and growth mode”, Y. Mizuta, S. Takeuchi, M. Imanishi, M. Imade, Y. Imai, S. Kimura, Y. Mori, and A. Sakai, The 7th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials, November 21-25, 2016, Hawaii, USA.
    3. “Demonstration of reversible resistive switching by the control of oxygen vacancy distribution in rutile TiO2-x single crystals”, T. Shimizu, M. Shimotani, S. Takeuchi, and A. Sakai, The 7th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials, November 21-25, 2016, Hawaii, USA.
    • International Workshop on Nitride Semiconductors
    1. “Three-Dimensional Reciprocal Space Mapping Analysis for Localized Structures and Defects in Nitride Semiconductor Materials”, A. Sakai, and S. Takeuchi, International Workshop on Nitride Semiconductors, October 2-7, 2016, Orlando, Florida, USA.
    • 秋季応用物理学会
    1. "X線マイクロ回折による種結晶表面・成長モード制御NaフラックスGaNの微視的結晶構造解析"、水田祐貴、竹内正太郎、今西正幸、今出完、今井康彦、木村滋、森勇介、酒井朗、第77回応用物理学会秋季学術講演会、朱鷺メッセ、2016年9月13日―16日
    2. "ルチル型TiO2単結晶の酸素空孔分布制御と抵抗変化特性"、清水拓磨、竹内正太郎、酒井朗、第77回応用物理学会秋季学術講演会、朱鷺メッセ、2016年9月13日―16日
    • 春季応用物理学会
    1. "ルチル型TiO2単結晶の酸 素空孔分布制御と抵抗変化特性"、下谷将人、竹内正太郎、酒井朗、第63回応用物理学会春季学術講演会、東京 工業大学大岡山キャンパス、2016年3月19日―22日
    2. "X線マイクロ回折による高Ge組成SiGe/組成傾斜層の結晶性断層マッピン グ解析"、志田和己、竹内正太郎、今井康 彦、木村滋、酒井朗、第63回応用物理学会春季学術講演会、 東京工業大学大岡山キャンパス、2016年3月19日―22日
    3. "種結晶GaN表面お よび成長モードを制御したNaフラックスGaNの欠陥構造解析"、水田 祐貴、竹内正太郎、今西正幸、今出完、森勇介、酒井朗、第63回応用物理学会春季学術講演会、 東京工業大学大岡山キャンパス、2016年3月19日―22日
    4. "エピタキシャルGeナノ ドット含有Si構造を用いたSi系熱電材料の性能向上"、山阪 司祐人、渡辺健太郎、澤野憲太郎、竹内正太郎、酒井朗、中村芳明、第63回応用物理学会春季学術講演会、 東京工業大学大岡山キャンパス、2016年3月19日―22日
    5. "【講演奨励賞受賞記念講演】X線マイ クロ回折を用いた3次元逆格子マップ解析による窒化物半導体結晶構造解析"、鎌田祥平、竹内正太郎、ディン タンカン、三宅秀人、平松和政、今井康彦、木村滋、酒井朗、第63回応用物理学会春季学術講演会、 東京工業大学大岡山キャンパス、2016年3月19日―22日
    6. "3次元逆格子空間マップ解 析による周期溝SiC基板上AlN厚膜の微視的結晶構造評 価"、鎌田祥平、竹内正太 郎、ディンタンカン、三宅秀人、平松和政、今井康彦、木村滋、酒井朗、第63回応用物理学会春季学術 講演会、東京工業大学大岡山キャンパス、2016年3月19日―22日
    2015
    • 23rd International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM23)
    1. “Observation of covering epitaxial β-FeSi2 nanodots with Si for fabricating Si/β-FeSi2 nanodots stacked structures”, S. Sakane, K. Watanabe, M. Isogawa, S. Takeuchi, A. Sakai, and Y. Nakamura, 23rd International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM23), December 10-12, Hokkaido, Japan
    2. “Epitaxial growth of iron oxide nanodots on Si substrate using Fe-coated Ge nuclei”, T. Ishibe, K. Watanabe, S. Takeuchi, A. Sakai, and Y. Nakamura, 23rd International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM23), December 10-12, Hokkaido, Japan
    • 3rd Kansai Nanoscience and Nanotechnology/11th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium
    1. “Crystalline structure analysis of nitride semiconductors by three-dimensional reciprocal space mapping using X-ray microdiffraction”, S. Kamada, S. Takeuchi, D. T. Khan, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Imai, S. Kimura, and A. Sakai, 3rd Kansai Nanoscience and Nanotechnology/11th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium, December 7-9, 2015, Osaka University, Japan
    2. “Resistive switching properties and structural change of rutile TiO2 crystal”, M. Shimotani, H. Murakami, S. Takeuchi, and A. Sakai, 3rd Kansai Nanoscience and Nanotechnology/11th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium, December 7-9, 2015, Osaka University, Japan
    • The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides
    1. “Positional dependence of defect distribution in semipolar (20-21) HVPE-GaN films grown on (22-43) patterned sapphire substrates”, T. Uchiyama, S. Takeuchi, S. Kamada, T. Arauchi, Y. Hashimoto, K. Yamane, N. Okada, Y. Imai, S. Kimura, K. Tadatomo, and A. Sakai, The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides, November 8-13, 2015, Hamamatsu, Japan.
    • International Conference on Thermoelectrics - ICT2015
    1. “Thermal conductivity reduction and carrier doping in the Si nanoarchitecture including epitaxial nanodots”, Y. Nakamura, T. Ueda, M. Isogawa, S. Yamasaka, S. Takeuchi, and A. Sakai, International Conference on Thermoelectrics ? ICT2015, June 28 ? July 2, 2015, Dresden, Germany.
    2. “Phonon scattering control by structure of epitaxial Ge nanodots in Si”, S. Yamasaka, Y. Nakamura, S. Takeuchi, and A. Sakai, International Conference on Thermoelectrics ? ICT2015, June 28 ? July 2, 2015, Dresden, Germany.
    • 結晶工学未来塾
    1. "X線マイクロ回折を用いた3次元逆格子マップ解析による窒化物半導体結晶構造解析", 鎌田祥平,竹内正太郎,Dinh Than Khan,三宅秀人,平松和 政, 今井康彦,木村滋,酒井朗, 第4回結晶工学未来塾:研究ポスター発表会, 東京農工大学, 2015年11月29日.
    • 秋季応用物理学会
    1. "ルチル型TiO2単結晶の抵抗変化特性と結晶構造変化", 下谷将人,村上弘弥,竹内正太郎,酒井朗, 第76回応用物理学会秋季学術講演会,名古屋国際会議場,2015年9月13日-16日
    2. "Si基 板上高密度エピタキシャル鉄酸化物ナノドットの形成とスイッチング特性", 渡辺健太郎,前田佳輝,中本悠太,松井秀紀,竹内正太郎,酒井朗,中村芳明, 第76回応用物理学会秋季学術講演会,名古屋国際会議場,2015年9月13日-16日.
    3. "エピタキシャルFe3O4-δナノドット/Si基板における抵抗スイッチング特性の成長温度依存性", 前田佳輝,渡辺健太郎,中本悠太,松井秀紀,竹内正太郎,酒井朗,中村芳明, 第76回応用物理学会秋季学術講演会,名古屋国際会議場,2015年9月13日-16日.
    4. "エピタキシャルGeナノドット含有Si薄膜における熱電特性制御", 山阪司祐人,渡辺健太郎,澤野憲太郎,竹内正太郎,酒井朗,中村芳明, 第76回応用物理学会秋季学術講演会,名古屋国際会議場,2015年9月13日-16日.
    5. "β-FeSi2ナノドット積層構造における熱電特性の支配要因", 坂根駿也,渡辺健太郎,竹内正太郎,酒井朗,中村芳明, 第76回応用物理学会秋季学術講演会,名古屋国際会議場,2015年9月13日-16日.
    6. "X線マイクロ回折法による半極性面(20-21)GaN厚膜の欠陥分布評価", 内山星郎,竹内正太郎,荒内琢士,橋本健宏,山根啓輔,岡田成仁,今井康彦,木村滋,只友一行,酒井朗, 第76回応用物理学会秋季学術講演会,名古屋国際会議場,2015年9月13日-16日.
    7. "窒化物半導体の成長表面・界面制御と転位挙動―Naフ ラックス成長GaN結晶を中心に―", 酒井朗,浅津宏伝,竹内正太郎,中村芳明,今西正幸,今出完,森勇介, 第76回応用物理学会秋季学術講演会,名古屋国際会議場,2015年9月13日-16日.
    8. "X線マイクロ回折法を用いた3次元逆格子マップ解析による窒化物半導体結晶構造評価",鎌田祥平,竹内正 太郎, ディンタンカン,三宅秀人,平松和政,今井康彦,木村滋,酒井朗, 第76回応用物理学会秋季学術講演会,名古屋国際会議場,2015年9月13日-16日.
    • 春季応用物理学会
    1. "Naフラックス結合成長法で作製したGaNバルク結晶における成長初期界面の欠陥構造解析",浅津宏伝,竹内正太郎,今西正幸,中村芳明,今出完,森勇介,酒井朗,  第62回応用物理学会春季学術講演会,東海大学,2015年3月11日-14日.
    2. "鉄シリサイド核/Siを用いた鉄酸化物のエピタキシャル成長",松井秀紀,中村芳明,中本悠太,竹内正太郎,酒井朗, 第62回応用物理学会春季学術講演会,東海大学,2015年3月11日-14日.
    3. "極薄Al2O3/SiO2 BOX層を有する貼り合わせGeOI基板の熱処理による電気特性改善",吉田啓資,中村芳明,竹内正太郎,守山佳彦,手塚勉,酒井朗, 第62回応用物理学会春季学術講演会,東海大学,2015年3月11日-14日.
    4. "Si中 エピタキシャルGeナノドットを用いた熱抵抗制御",山阪司祐人,中村芳明,上田智広,竹内正太郎, 酒井朗, 第62回応用物理学会春季学術 講演会,東海大学,2015年3月11日-14日.
    2014
    • 結晶工学未来塾
    1. "表層固溶窒素濃度が制御されたSiウェーハのデバイス活性領域における転位挙動",長久晋輔,竹 内正太郎, 浅津宏伝, 中村芳明, 須藤治生, 荒木浩司, 泉妻宏治,酒井朗,  第3回結晶工学未来塾:研究ポスター発表会, 学習院大学, 2014年11月13日.
    2. "周 期溝加工基板上半極性面(20-21)GaN膜の微視的結晶構造解析〜X線 マイクロ回折と透過型電子顕微鏡を用いた相補的評価〜", 荒内琢士,竹内正太郎,橋本健宏,中村芳明,今井康彦,山根啓輔,岡田成仁,木村滋,只友一行,酒井朗,  第3回結晶工 学未来塾:研究ポスター発表会, 学習院大 学, 2014年11月13日.
    • 秋季応用物理学会
    1. "周期溝加工(22-43)サファイア基板上半極性面(20-21)GaNの微視的結晶構造解析",荒内琢士,竹内正太郎,橋本健宏,中村芳明,今井康彦,山根啓輔,岡田成仁,木村滋,只友一行,酒井朗,  第75回応用物理学会秋季学術講演会, 北海道大学,2014年9月17日-20日.
    2. "X線回折法による半極性(20-21)GaN膜の膜厚・成長条件依存性評価",内山星郎,竹内正太郎,荒内琢士,橋本健宏,中村芳明,山根啓輔,岡田成仁,只友一行,酒井朗,  第75回応用物理学会秋季学術講演会, 北海道大学,2014年9月17日-20日.
    3. "エピタキシャル鉄シリサイドナノ ドット積層構造の熱電特性",山阪司祐人,中村芳明,鶴崎晋也,竹内正太郎,酒井朗,  第75回応用物理学会秋季学術講演会, 北海道大学,2014年9月17日-20日.
    4. "窒化物半導体結晶特異構造の構造 解析評価−マルチスケール評価へのアプローチ−",酒井朗,竹内正太郎,中村芳明,三宅秀人,平松和政,今井康彦,木村滋,  第75回応用物理学会秋季学術講演会, 北海道大学,2014年9月17日-20日.
    5. "Si基板上エピタキシャルFe2O3ナノドットの抵抗変化特性とその アニール処理依存性",松井秀紀,中村芳明,竹内正太郎,酒井朗,  第75回応用物理学会秋季学術講演会, 北海道大学,2014年9月17日-20日.
    6. "Siウェー ハの曲げ強度に対する表層窒素濃度の影響",須藤治生,荒木浩司,日高洋美,荒木延恵,竹内正太郎,中村芳明,酒井朗,泉妻宏治, 第75回応用物理学会秋季学術 講演会,北海道大学,2014年9月17日-20日.
    • 1st KANSAI Nanoscience and Nanotechnology International Symposium
    1. "Introduction of Ultrahigh Density Ge Nanodots into Si Films for Si Based Thermoelectric Materials", S. Yamasaka, Y. Nakamura, T. Ueda, S. Takeuchi and A. Sakai, 1st Kansai NanoScience and Nanotechnology International Symposium, Osaka, Japan, Feb. 4 2014.
    2. "Anomalous reduction of thermal conductivity of stacked epitaxial Si nanodot structures", Y. Nakamura and A. Sakai, 1st Kansai NanoScience and Nanotechnology International Symposium, Osaka, Japan, Feb. 4 2014.
    • 春季応用物理学会
    1. "エピタキシャルGeナノドットを有するSi熱電薄膜の電気特性評価", 山阪司祐人, 中村芳明, 上田智広, 竹内正太郎, 酒井朗, 第61回応用物理学会春期学術講演会、青山学院大学、2014年3月17日-3月20日.
    2. "極薄Si酸化膜技術を用いてエピタキシャル成長したSi基板上Fe3O4ナノドットの抵抗スイッチング特性", 松井秀紀, 中村芳明, 竹内正太郎, 酒井朗, 第61回応用物理学会春期学術講演会、青山学院大学、2014年3月17日-3月20日.
    3. "Al2O3挿入層を有する貼り合わせGeOI基板の電気特性評価", 吉田啓資, 中村芳明, 竹内正太郎, 守山佳彦, 手塚勉, 酒井朗, 第61回応用物理学会春期学術講演会、青山学院大学、2014年3月17日-3月20日.
    4. "Crystal domain microstructure analysis of a thick AlN film grown on a trench-patterned AlN/sapphire template by X-ray microdiffraction",D. T. Khan, S. Takeuchi, K. Nakamura, T. Arauchi, Y. Nakamura, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Imai, S. Kimura, and A. Sakai, 第61回応用物理学会春季学術講演会, 青山学院大学, 2014年3月17日-3月20日.
    5. "Naフラックス結合成長法における成長ハビットと転位挙動の関係",今西正幸,村上航介, 今林弘毅,高澤秀生,松尾大輔,轟夕摩,丸山美帆子,浅津宏伝,竹内正太郎,中村芳明,酒井朗,今出完,吉村政志,森勇介, 第61回 応用物理学会春季学術講演会, 青山学院大学, 2014年3月17日-3月20日.
    6. "Ge-nMOSFET向けn+-Ge/n+-SiGe積 層ストレッサーによるGeチャネルへのひずみ導入および寄生抵抗の低減", 守山佳彦,上牟田雄一,鎌田善己,池田圭司,竹内正太郎,中村芳明,酒井朗,手塚勉, 第61回 応用物理学会春季学術講演会, 青山学院大学, 2014年3月17日-3月20日.
    • 2014 MRS Fall Meeting & Exhibit
    1. "Microstructure Analysis of a Thick AlN Film Grown on a Trench-Patterned AlN/Sapphire Template by X-Ray Microdiffraction", S. Takeuchi, D. T. Khan, Y. Nakamura, Y. Imai, S. Kimura, H. Miyake, K. Hiramatsu, and A. Sakai, 2014 MRS Fall Meeting & Exhibit, November 30 - December 5, 2014, Boston, Massachusetts.
    • The 7th Forum on the Science and Technology of Silicon Materials 2014
    1. "Effect of surface-nitrogen-concentration on dislocation behavior in Si wafers treated by high temperature rapid thermal nitridation", S. Chokyu, S. Takeuchi, H. Asazu, Y. Nakamura, H. Sudo, K. Araki, K. Izunome, and A. Sakai, The 7th Forum on the Science and Technology of Silicon Materials 2014, October 19-22, 2014, Hamamatsu, Japan.
    • International Workshop on Nitride Semiconductors
    1. "Behaviors of dislocations in GaN crystals grown on point seeds in the Na-Flux coalescence growth", M. Imanishi, K. Murakami, K. Nakamura, H. Imabayashi, H. Takazawa, D. Matsuo, Y. Todoroki, M. Maruyama, H. Asazu, S. Takeuchi, Y. Nakamura, A. Sakai, M. Imade, M. Yoshimura, and Y. Mori, International Workshop on Nitride Semiconductors, August 24-29, 2014, Wroclaw, Poland.
    2. "Crystalline property analysis of semipolar (20-21) GaN on (22-43) patterned sapphire substrate by X-ray microdiffraction", T. Arauchi, S. Takeuchi, Y. Nakamura, Y. Imai, K. Yamane, N. Okada, S. Kimura, K. Tadatomo, and A. Sakai, International Workshop on Nitride Semiconductors, August 24-29, 2014, Wroclaw, Poland.
    3. "Thickness and growth condition dependence of crystallinity in semipolar (20-21) GaN films on (22-43) patterned sapphire substrate", T. Uchiyama, S. Takeuchi, T. Arauchi, Y. Nakamura, K. Yamane, N. Okada, K. Tadatomo, and A. Sakai, International Workshop on Nitride Semiconductors, August 24-29, 2014, Wroclaw, Poland.
    • International Conference on Thermoelectrics - ICT2014
    1. "Thermal and electrical properties of Si films including epitaxial Ge nanodot phonon-scatterers", S. Yamasaka, Y. Nakamura, T. Ueda, S. Takeuchi, and A. Sakai, International Conference on Thermoelectrics - ICT2014, July 6-10, 2014, Nashville, Tennessee.
    • 7th International SiGe Technology and Device Meeting
    1. "Improvement of current drive of Ge-nMISFETs by epitaxially grown n+-Ge :P source and drain", Y. Moriyama, K. Kamimuta, Y. Kamata, K. Ikeda, S. Takeuchi, Y. Nakamura, A. Sakai, and T. Tezuka, 7th International SiGe Technology and Device Meeting, June 2-4, 2014, Swissotel Merchant Court, Singapore.
    2013
    • 春季応用物理学会
    1. "エピタキシャルGeナノドットを有するSi熱電薄膜の電気特性評価", 山阪司祐人, 中村芳明, 上田智広, 竹内正太郎, 酒井朗,第61回応用物理学会春期学術講演会、青山学院大学、2013年3月17日-3月20日.
    2. "X線マイクロ回折による周期溝加工SiC基板上に成長したAlN薄膜の結晶性評価", 中村邦彦,ディン カン,荒内琢士,竹内正太郎,中村芳明,三宅秀人,平松和政,今井康彦,木村 滋,酒井 朗, 2013年 第60回応用物理学会春季学術講演会, 神奈川工科大学, 2013年3月27-3月30日.
    3. "Si基板上への鉄酸化物ナノドットのエピタキシャル成長とその電子状態測定", 石部貴史,中村芳明,松井秀紀,竹内正太郎,酒井 朗, 2013年 第60回応用物理学会春季学術講演会, 神奈川工科大学, 2013年3月27-3月30日.
    4. "エピタキシャルb-FeSi2ナノドット積層構造の形成とその熱電物性", 五十川雅之,中村芳明,吉川 純,竹内正太郎,酒井 朗, 2013年 第60回応用物理学会春季学術講演会, 神奈川工科大学, 2013年3月27-3月30日.
    5. "Si系熱電材料におけるエピタキシャルナノドット散乱体の形成とその熱伝導率評価", 山阪司祐人,中村芳明,上田智広,竹内正太郎,酒井 朗, 2013年 第60回応用物理学会春季学術講演会, 神奈川工科大学, 2013年3月27-3月30日.
    6. "表層酸素濃度が制御されたSiウェーハのデバイス活性領域における転位挙動", 浅津宏伝,竹内正太郎,山内宏哉,須藤治生,荒木浩司,中村芳明,泉妻宏治,酒井 朗, 2013年 第60回応用物理学会春季学術講演会, 神奈川工科大学, 2013年3月27-3月30日.
    • 8th International Conference on Si epitaxy and Heterostructures/6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ICSI-8/ISCSI-VI)
    1. "Reduction of contact resistance on selectively grown phosphorus-doped n+-Ge layers", Y. Moriyama, Y. Kamata, K. Ikeda, S. Takeuchi, Y. Nakamura, A. Sakai, and T. Tezuka, 8th International Conference on Si Epitaxy and Heterostructures/6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ICSI-8/ISCSI-VI), June 2nd - 6th 2013, Fukuoka, Japan.
    2. "Dislocation behavior of surface-oxygen-concentration controlled Si wafers", H. Asazu, S. Takeuchi, H. Sannai, H. Sudo, K. Araki, Y. Nakamura, K. Izunome, and A. Sakai, 8th International Conference on Si Epitaxy and Heterostructures/6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ICSI-8/ISCSI-VI), June 2nd - 6th 2013, Fukuoka, Japan.
    3. "Quantitative evaluation of bonding strength of hybrid-box GeOI", Y. Moriyama, S. Takeuchi, K. Ikeda, Y. Kamimuta, A. Sakai, K. Izunome and T. Tezuka, 8th International Conference on Si Epitaxy and Heterostructures/6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ICSI-8/ISCSI-VI), June 2nd - 6th 2013, Fukuoka, Japan.
    • 電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会
    1. "Si基板上への鉄酸化物ナノドットのエピタキシャル成長とその電子状態測定", 石部貴史,中 村芳明,松井秀紀,竹内正太郎,酒井 朗, 電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会, 機会振興会館, 東京, 2013年6月18日.
    • The 32nd International Conference on Thermoelectrics
    1. "Introduction of Ge nanodots in Si films as phonon scatterers and the thermal conductivity reduction", Shuto Yamasaka, Yoshiaki Nakamura*, Tomohiro Ueda, S. Takeuchi, Y. Yamamoto, S. Arai, T. Tanji, N. Tanaka, A. Sakai, The 32nd International Conference on Thermoelectrics, Kobe, Japan, July 1, 2013.
    • Asia-Pasific Conference on Green Technology with Silicides and Related Materials
    1. "Epitaxial growth of stacked β-FeSi2 nanodots on Si substrates and their thermoelectric properties", M. Isogawa, Y. Nakamura*, J. Kikkawa, S. Takeuchi and A. Sakai, Asia-Pasific Conference on Green Technology with Silicides and Related Materials, Tsukuba, Japan, July 29, 2013.
    • 10th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-10)
    1. "Anisotropic crystalline morphology of epitaxial thick AlN films grown on triangular-striped AlN/sapphire template", T. Arauchi, S. Takeuchi, K. Nakamura, D. T. Khan, Y. Nakamura, H. Miyake, K. Hiramatsu, and A. Sakai, 10th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-10), Gaylord National Hotel and Convention Center, Washington - DC Metropolitan Area, USA, August 25-30, 2013.
    • 15th International Conference on Defects Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors
    1. "Variation of local residual strain and twist angle in growth direction of AlN films on trench-patterned 6H-SiC substrates", K. Nakamura, S. Takeuchi, D. T. Khan, T. Arauchi, Y. Nakamura, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Imai, S. Kimura, and A. Sakai, 15th International Conference on Defects Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors, Warsaw, Poland, September 15-19, 2013.
    • E-MRS 2013 FALL MEETING
    1. "In-situ P-doped Ge-rich SiGe selective epitaxy for strained Ge-nMISFETs", Y. Moriyama, Y. Kamimuta, Y. Kamata, K. Ikeda, S. Takeuchi, A. Sakai, and T. Tezuka, E-MRS 2013 FALL MEETING, Warsaw University of Technology, Poland, September 16-20, 2013.
    • 2013 JSAP-MRS Joint Symposia
    1. "Microscopic structure analysis of a thick AlN film grown on a trench-patterned AlN/sapphire template by X-ray microdiffraction", D. T. Khan, S. Takeuchi, K. Nakamura, T. Arauchi, Y. Nakamura, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Imai, S. Kimura, and A. Sakai, 2013 JSAP-MRS Joint Symposia, Doshisha University, Kyoto, Japan, September 16-20, 2013.
    • 秋季応用物理学会
    1. "Si中エピタキシャルGeナノドット散乱体の熱電導率低減効果", 山阪司祐人,中村芳明,上田智広,竹内正太郎,酒井朗, 第74回応用物理学会秋季学術講演会, 同志社大学,2013年9月16日-20日.
    2. "エピタキシャル成長n+-Ge:Pの活性化率向上とTi電極との接触抵抗低減", 守山佳彦,上牟田雄一,鎌田善己,池田圭司,竹内正太郎,中村芳明,酒井朗,手塚勉, 第74回応用物理学会秋季学術講演会, 同志社大学,2013年9月16日-20日.
    3. "薄膜Al2O3/SiO2 BOX層を有するUTB-GeOI基板作製", 守山佳彦,池田圭司,竹内正太郎,上牟田雄一,中村芳明,酒井朗,泉妻宏治,手塚勉, 第74回応用物理学会秋季学術講演会, 同志社大学,2013年9月16日-20日.
    4. "X線回折による周期溝加工構造AlN/Sapphire基板上エピタキシャル成長AlN厚膜の結晶構造解析", 荒内琢士,竹内正太郎,中村邦彦,Khan Dhin,中村芳明,三宅秀人,平松和 政,酒井朗, 第74回応用物理学会秋季学術講演会, 同志社大学,2013年9月16日-20日.
    • 12th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-12)/21th International colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM21)
    1. "Formation of ultrahigh density Fe-based nanodots on Si substrates by controlling Ge nuclei on ultrathin SiO2 film", R. Sugimoto, Y. Nakamura, H. Matsui, J. Kikkawa and A. Sakai,12th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-12)/21th International colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM21), November 4 - 8, 2013, Tsukuba, Japan..
    2. "Epitaxial growth of iron oxide nanodots on Si substrate and their electronic states", T. Ishibe, Y. Nakamura, H. Matsui, S. Takeuchi and A. Sakai, 12th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-12)/21th International colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM21),November 4 - 8, 2013, Tsukuba, Japan.
    3. "Reduction effect of thermal conductivity by introduction of epitaxial Ge nanodots in Si", S. Yamasaka, Y. Nakamura, T. Ueda, S. Takeuchi and A. Sakai, 12th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-12)/21th International colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM21),November 4 - 8, 2013, Tsukuba, Japan.
    2012
    • 春季応用物理学会
    1. "半導体材料局所領域における微細構造・歪のX線マイクロ回折評価", 酒井 朗,吉川 純,中村芳明,今井康彦,坂田修身,木村 滋, 2012年春季 第59回応用物理学関係連合講演会, 早稲田大学, 2012年3月15-3月18日.
    2. "Electrical characterization of a SrTiO3 twist boundary bicrystal", Nishad Kokate,Phanphuthanh Son,吉川 純,中村芳明,酒井 朗, 2012年春季 第59回応用物理学関係連合講演会, 早稲田大学, 2012年3月15-3月18日.
    3. "Study of the (0004) plane tilting in a thick AlN film grown on a trench-patterned α-Al2O3 substrate by X-ray microdiffraction", Dinh Thanh Khan,原田進司,吉川 純,中村芳明,三宅秀人,平松和政,今井康彦,木村 滋,坂田修身,酒井 朗, 2012年春季 第59回応用物理学関係連合講演会, 早稲田大学, 2012年3月15-3月18日.
    4. "周期溝構造AlN層/サファイア基板上に形成されたAlN厚膜中の転位構造解析", 岡本祥吾,吉川 純,中村芳明,三宅秀人,平松和正,酒井 朗, 2012年春季 第59回応用物理学関係連合講演会, 早稲田大学, 2012年3月15-3月18日.
    5. "X線マイクロ回折法によるGaN自立基板の結晶性評価", 原田進司,渡邉翔大,Khan Dinh,吉川 純,中村芳明,三宅秀人,平松和政,今井康彦,木村 滋,坂田修身,酒井 朗, 2012年春季 第59回応用物理学関係連合講演会, 早稲田大学, 2012年3月15-3月18日.
    6. "ナノコンタクトエピタキシーによるSi(111)基板上Ge薄膜の形成と発光特性", 田中一樹,中村芳明,五十川雅之,吉川純,酒井朗, 2012年春季 第59回応用物理学関係連合講演会, 早稲田大学, 2012年3月15-3月18日.
    • International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting (ISTDM)
    1. "Improvement effect of electrical properties in post-annealed wafer-bonded Ge(001)-OI substrates", S. Yamasaka, Y. Nakamura, O. Yoshitake, J. Kikkawa, K. Izunome, A. Sakai,2012 International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting (ISTDM), 2012年6月.
    2. "Fabrication of bonded GeOI substrates with thin Al2O3/SiO2 buried oxide layers", Y. Moriyama, K. Ikeda, Y. Kamimuta, M. Oda, T. Irisawa, Y. Nakamura, A. Sakai, T. Tezuka,2012 International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting (ISTDM),2012年06月.
    • 電子情報通信学会技術研究報告
    1. "貼り合わせ直接接合SrTiO3(001)基板の抵抗スイッチング特性評価", 淺田遼太,Son Pham,Nishad Kokate,吉川 純,竹内正太郎,中村芳明,酒井 朗, 電子情報通信学会技術研究報告, 2012年6月21日.
    • 秋季応用物理学会
    1. "Si基板上エピタキシャルb-FeSi2ナノドットの積層技術開発", 五十川雅之,中村芳明,吉川 純,竹内正太郎,酒井 朗, 2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会, 愛媛大学・松山大学, 2012年9月11-9月14日.
    2. "Si基板上のエピタキシャルSiナノドット積層構造の形成と熱伝導率評価", 上田智広,中村芳明,五十川雅之,吉川 純,酒井 朗, 2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会, 愛媛大学・松山大学, 2012年9月11-9月14日.
    3. "薄膜Al2O3/SiO2 BOX層を有する貼り合わせGeOI基板の作製", 守山佳彦,池田圭司,上牟田雄一,入沢寿史,小田 穣,中村芳明,酒井 朗,手塚 勉, 2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会, 愛媛大学・松山大学, 2012年9月11-9月14日.
    4. "X線マイクロ回折によるFACELO成長GaN膜の結晶性評価", 中村邦彦,原田進司,Khan Dinh,吉川 純,竹内正太郎,中村芳明,三宅秀人,平松和政,今井康彦,木村 滋,坂田修身,酒井 朗, 2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会, 愛媛大学・松山大学, 2012年9月11-9月14日.
    • International Workshop on Nitride Semiconductors
    1. "Local strain distribution in a thick AlN film grown on a trench-patterned AlN/α-Al2O3 template measured by X-ray microdiffraction", D. T. Khan, S. Takeuchi, J. Kikkawa, Y. Nakamura, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Imai, S. Kimura, and A. Sakai,International Workshop on Nitride Semiconductors 2012,2012年10月.
    • The 2012 Si, SiGe, and Related Compound: Materials, Processing, and Devices Symposium, the PRiME 2012 Joint International 222nd Elecrochemical Society Meeting
    1. "GOI substrates -Fabrication and characterization-", A. Sakai, S. Yamasaka, J. Kikkawa, Y. Nakamura, Y. Moriyama, T. Tezuka, S. Takeuchi, K. Izunome,The 2012 Si, SiGe, and Related Compound: Materials, Processing, and Devices Symposium, the PRiME 2012 Joint International 222nd Elecrochemical Society Meeting,2012年10月.
    • The 6th International Symposiiium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials (JSPS Si Symposium)
    1. "Structural- and electrical characteristics of GeOI/BOX interfaces of bonded GeOI substrates with thin Al2O3/SiO2 hybrid BOX layers", Y. Moriyama, K. Ikeda, Y. Kamimuta, M. Oda, T. Irisawa, S. Takeuchi, Y. Nakamura, A. Sakai, T. Tezuka,The 6th International Symposiiium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials (JSPS Si Symposium),2012年11月.
    • NanoMalaysia Summit and Expo
    1. "Investigation of semiconductor nanostructures using focused X-ray beams", A. Sakai,NanoMalaysia Summit and Expo 2012,2012年11月.
    • Materials Research Society Fall Meetings & Exihibits
    1. "Formation technique of stacked epitaxial Si nanodot structures and their thermal conductivity", Y. Nakamura, M. Isogawa, T. Ueda, J. Kikkawa, A. Sakai,2012 Materials Research Society Fall Meetings & Exihibits,2012年11月.
    • 8th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium
    1. "Distribution of Local Strain in Facet Controlled ELO (FACELO) GaN by X-ray Micro Diffraction", K. Nakamura, S. Harada, D. T. Khan, J. Kikkawa, S. Takeuchi, Y. Nakamura, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Imai, S. Kimura, and A. Sakai, 8th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium,2012年12月.
    2. "Cross-sectional X-ray Microdiffraction Study of Residual Strain Distribution in a Thick AlN Film Grown on a Trench-patterned AlN/α-Al2O3 Template", D. T. Khan, J. Kikkawa, S. Takeuchi, Y. Nakamura, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. imai, S. Kimura, O. Sakata, and A. Sakai, 8th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium,2012年12月.
    • 第1回結晶工学未来塾:研究ポスター発表会
    1. "X線マイクロ回折によるFACELO成長GaN膜中の局所歪分布評価", 中村邦彦, 原田進司, Dinh Thanh Khan, 吉川純, 竹内正太郎, 中村芳明, 三宅秀人, 平松和政, 今井康彦, 木村滋, 酒井朗, 第1回結晶工学未来塾:研究ポスター発表会, 学習院大学, 2012年12月.
    2011
    • 春季応用物理学会
    1. "貼り合わせGOI基板における電気特性の熱処理雰囲気依存性", 山阪司祐人,南 圭祐,中村芳明,吉武 修,吉川 純,泉妻宏治,酒井 朗, 2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会, 神奈川工科大学, 2011年3月24-3月27日.
    2. "フォーミング過程に起因するSrTiO3バイクリスタル接合界面のEBICコントラスト変化", 加藤哲司,Thanh Son Pham Phu,中村芳明,吉川 純,酒井 朗, 2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会, 神奈川工科大学, 2011年3月24-3月27日.
    3. "X線マイクロ回折を用いたGaN自立基板の格子面傾斜ゆらぎの解析", 渡邉翔大,原田進司,Thanh Khan Dinh,吉川 純,中村芳明,三宅秀人,平松和政,今井康彦,木村 滋,坂田修身,酒井 朗, 2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会, 神奈川工科大学, 2011年3月24-3月27日.
    • 7th International Conference on Si Epitaxy and Heterostructures (ICSI-7)
    1. "Electrical characterization of wafer-bonded Ge(111)-on-insulator substrates using four-point-probe pseudo-MOSFET", K. Minami, Y. Nakamura, S. Yamasaka, O. Yoshitake, J. Kikkawa, K. Izunome, and A. Sakai, 7th International Conference on Si Epitaxy and Heterostructures (ICSI-7), Leuven, Belgium, August 29-September 1, 2011.
    2. "Vertical dislocations in Ge films selectively grown on submicron regions of Si substrates", S. Harada, J. Kikkawa, Y. Nakamura, G. Wang, M. Caymax , and A. Sakai, 7th International Conference on Si Epitaxy and Heterostructures (ICSI-7), Leuven, Belgium, August 29-September 1, 2011.
    • 秋季応用物理学会
    1. "極薄Si酸化膜を用いてナノ界面制御したSi基板上超高密度鉄酸化物ナノドットの形成", 浜中啓伸,中村芳明,杉元亮太,吉川純,酒井朗, 2011年秋季第72回応用物理学学術講演会, 山形大学, 2011年8月29-9月2日.
    2. "貼り合わせGeOI基板における界面近傍欠陥密度の熱処理依存性", 山阪司祐人,中村芳明,南圭祐,吉武修,吉川純,泉妻宏治,酒井朗, 2011年秋季第72回応用物理学学術講演会, 山形大学, 2011年8月29-9月2日.
    3. "アセチルアセトナート錯体を用いた酸化バナジウム・ナノワイヤの成長", 石部貴史,吉川純,中村芳明,酒井朗, 2011年秋季 第72回応用物理学学術講演会, 山形大学, 2011年8月29-9月2日.
    • 14th International Conference on Defect-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors
    1. "Electron-beam-induced current study of electrocal property change at SrTiO3 bicrystal interface induced by forming process", T. Kato, Y. Nakamura, P. P. T. Son, J. Kikkawa, A. Sakai,14th International Conference on Defect-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors,2011年09月.
    • 11th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN 11)
    1. "Structural analysis of vicinal Si(110) surfaces with various off-angles", M. Yamashita, Y. Nakamura, A. Yamamoto, J. Kikkawa, K. Izunome, A. Sakai,11th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN 11), St. Petersburg, Russia, Oct. 2011.
    2. "Formation mechanism of peculiar structures on vicinal Si(110) surfaces", M. Yamashita, Y. Nakamura, R. Sugimoto, J. Kikkawa, K. Izunome, A. Sakai,11th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN 11), St. Petersburg, Russia, Oct. 2011.
    3. "Formation of iron oxide nanodot structures on Si substrates by controlling nanometer-sized interface using ultrathin SiO2 film technique", Y. Nakamura, H, Hamanaka, K. Tanaka, J. Kikkawa, and A. Sakai, 11th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructure (ACSIN11), (St Petersburg, Russia, Oct. 2011.
    • 15th International Conference on Thin Films
    1. "X-ray microdiffraction study of three-dimensional distribution of local strain in thick AlN film grown on a trench-patterned AlN/a-Al2O3 template", D. T. Khan, S. Harada, J. Kikkawa, Y. Nakamura, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Imai, S. Kimura, O. Sakata, A. Sakai,15th International Conference on Thin Films,2011年11月.
    • 7th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium
    1. "Formation of ultrahigh density iron oxide nanodots on Si substrates with nanometer-sized interfaces", K. Tanaka, Y. Nakamura, H. Harada, J. Kikkawa, A. Sakai,7th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium,2011年11月.
    2. "Growth of vanadium dioxides nanowires using vanadyl acetylacetonate", T. Ishibe, J. Kikkawa, Y. Nakamura, A. Sakai,7th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium,2011年11月.
    • Materials Research Society Fall Meeting & Exhibit (MRS)
    1. "Growth of Vanadium Oxides Nanowires by using Vanadyl Acetylacetonates", T. Ishibe, J. Kikkawa, Y. Nakamura, and A. Sakai, Materials Research Society Fall Meeting & Exhibit (MRS), Boston, USA, November 28-December 2, 2011.
    2010
    • 科学研究費補助金 特定領域研究 第4回 成果報告会
    1. “貼り合せGOI基板におけるGe/SiO2界面構造の熱処理温度依存性”, 吉武修,吉川純, 中村芳明, 酒井朗, 豊田英二, 磯貝宏道, 泉妻宏治, 科学研究費補助金 特定領域研究 第4回 成果報告会, 秋葉原, 2010年1月19日-1月20日.
    • 5th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
    1. Invited: “Potential of Ge1-xSnx alloys as high mobility channel materials and stressors”, S. Takeuchi, Y. Shimura, T. Tsutsui, O. Nakatsuka, A. Sakai, and S. Zaima, 5th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics, pp. 67-68, Sendai, Japan, Jan. 29-30, 2010.
    2. “Microscopic characterization of Si(011)/Si(001) direct silicon bonding substrates”, T. Kato, T. Ueda, Y. Ohara, J. Kikkawa, Y. Nakamura, A. Sakai, O. Nakatsuka, S. Zaima, E. Toyoda, K. Izunome, Y. Imai, S. Kimura, and O. Sakata, 5th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics, pp. 37-38, Sendai, Japan, Jan. 29-30, 2010.
    3. “Strain Relaxation Behavior of Ge1-xSnx Buffer Layers on Si and Virtual Ge Substrates”, Y. Shimura, S. Takeuchi, N. Tsutsui, O. Nakatsuka, A. Sakai, and S. Zaima, 5th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics, pp. 43-44, Sendai, Japan, Jan. 29-30, 2010.
    • 春季応用物理学会
    1. “Si(110)表面構造のオフ角依存性”, 山下 鎮,山本 昌,中村芳明,吉川 純,酒井 朗,豊田英二,佐藤元樹,磯貝宏道,泉妻宏治, 2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会, 東海大学, 2010年3月17日-3月20日.
    2. “Si基板上に選択エピタキシャル成長したGe細線の歪緩和過程”, 海老原洪平,原田進司,吉川 純,中村芳明,酒井 朗,Gang Wang,Matty Caymax,今井康彦,木村 滋,坂田修身, 2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会, 東海大学, 2010年3月17日-3月20日.
    3. “貼り合せGOI基板におけるGe/SiO2界面構造の熱処理温度依存性”, 吉武修,吉川純, 中村芳明, 酒井朗, 豊田英二, 磯貝宏道, 泉妻宏治, 2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会, 東海大学, 2010年3月17日-3月20日.
    • 5th International conference on SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM)
    1. "X-ray microdiffraction investigation of crystallinity and strain relaxation in Ge thin lines selectively grown on Si(001) substrates", K. Ebihara, J. Kikkawa, Y. Nakamura, A. Sakai, G. Wang, M. Caymax, Y. Imai, S. Kimura, and O. Sakata, 5th International conference on SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM), Stockholm, Sweden, May 24-26, 2010.
    • International Conference on Core Research and Engineering Science of Advanced Materials (Global COE Program)
    1. "Annealing Effects on Ge/SiO2 Interfaces in Wafer-Bonded GOI Substrates", O. Yoshitake, J. Kikkawa, Y. Nakamura, A. Sakai, E. Toyoda, H. Isogai and K. Izunome, International Conference on Core Research and Engineering Science of Advanced Materials (Global COE Program), Osaka, May 30- June 5, 2010.
    • Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides Science and Technology Towards Sustainable Optoelectronics (APAC-SILICIDE 2010)
    1. "Formation of ultrahigh density iron-based nanodots on Si (111) substrates using ultrathin SiO2 films", H. Hamanaka, Y. Nakamura, K. Tanaka, J. Kikkawa, and A. Sakai, Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides Science and Technology Towards Sustainable Optoelectronics (APAC-SILICIDE 2010), Tsukuba, July 24-26, 2010.
    • 秋季応用物理学会
    1. “極薄Si酸化膜を用いたSi(111)基板上超高密度鉄系ナノドットの形成”, 浜中啓伸,中村芳明,田中一樹,吉川 純,酒井 朗, 2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会, 長崎大学, 2010年9月14日-9月17日.
    2. “スピンMOSFET用Fe3Si/SOI(111)高品質接合の作製”, 馬場雄三,村上達彦,橋本直樹,安藤裕一郎,浜屋宏平,吉川 純,中村芳明,豊田英二,泉妻宏治,酒井 朗,宮尾正信, 2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会, 長崎大学, 2010年9月14日-9月17日.
    3. “四探針型Pseudo-MOS トランジスタ法を用いた貼り合せGermanium(111)-on-Insulator 基板の電気特性評価”, 南 圭祐,中村芳明,吉川 純,豊田英二,泉妻宏治,浜屋宏平,宮尾正信,酒井 朗, 2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会, 長崎大学, 2010年9月14日-9月17日.
    4. “Si基板上サブミクロン領域にエピタキシャル成長したGe薄膜の転位構造”, 原田進司,海老原洪平,吉川 純,中村芳明,酒井 朗,Wang Gang,Caymax Matty, 2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会, 長崎大学, 2010年9月14日-9月17日.
    • International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
    1. "Electrical characterization of wafer-bonded germanium-on-insulator substrates using a four-point-probe pseudo-MOSFET", Y. Iwasaki, Y. Nakamura, J. Kikkawa, A. Sakai, M. Sato, E. Toyoda, H. Isogai, and K. Izunome, 2010 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), Tokyo, Sep. 22-24, 2010.
    2. "Annealing Effects on Ge/SiO2 interface Structure in wafer-bonded germanium-on-insulator substrates", O. Yoshitake, J. Kikkawa, Y. Nakamura, A. Sakai, E. Toyoda, H. Isogai and K. Izunome, 2010 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), Tokyo, Sep. 22-24, 2010.
    • 218th ECS meeting
    1. "X-ray Microdiffraction Study on Crystallinity of Micron-Sized Ge Films Selectively Grown on Si(001) Substrates", K. Ebihara, S. Harada, J. Kikkawa, Y. Nakamura, A. Sakai, G. Wang, M. Caymax, Y. Imai, S. Kimura, and O. Sakata, 218th ECS meeting, LasVegas, Oct. 10-15, 2010.
    • Material Research Society Fall Meeting
    1. "Two-dimensional nanoarray of SiGe epitaxial nanodots self-organized by selective etching of edge dislocation network", Y. Nakamura, M. Takahashi, J. Kikkawa, O. Nakatsuka, S. Zaima, and A. Sakai, 2010 Material Research Society Fall Meeting, Boston, Nov. 29-Dec. 3, 2010.
    • 18th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM18)
    1. "Structural Analysis of Si-based Nanodot Arrays Self-organized by Selective Etching of SiGe/Si Films", M. Takahashi, Y. Nakamura, J. Kikkawa, O. Nakatsuka, S. Zaima and A. Sakai, 18th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM18), Izuatagawa, Dec. 9-11, 2010.
    2009
    1. Invited: “Formation and characterization of tensile-strained Ge layers on Ge1-xSnx buffer layers”, S. Zaima, O. Nakatsuka, Y. Shimura, N. Tsutsui, and A. Sakai, The 6th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures, Los Angeles, USA, May 17-22, 2009.
    2. “Low Temperature Growth of Ge1-xSnx Buffer Layers for Tensile-strained Ge Layers”, Y. Shimura, N. Tsutsui, O. Nakatsuka, A. Sakai, and S. Zaima, The 6th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures, Los Angeles, USA, May 17-22, 2009.
    3. “Analysis of Local Strain in Ge1-xSnx /Ge/Si(001) Heterostructures by X-ray Microdiffraction”, O. Nakatsuka, Y. Shimura, N. Tsutsui, A. Sakai, Y. Imai, H. Tajiri, O. Sakata, S. Kimura, and S. Zaima, The 6th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures, Los Angeles, USA, May 17-22, 2009.
    4. “Structural change of direct silicon bonding substrates by interfacial oxide out-diffusion annealing”, T. Kato, T. Ueda, Y. Ohara, J. Kikkawa, Y. Nakamura, A. Sakai, O. Nakatsuka, S. Zaima, E. Toyoda, K. Izunome, Y. Imai, S. Kimura, and O. Sakata, The 6th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures, Los Angeles, USA, May 17-22, 2009.
    5. “貼り合わせGOI基板のGe/SiO2接合界面の構造評価”, 吉武修1,吉川純1, 中村芳明1, 酒井朗1, 豊田英二2, 磯貝宏道2, 泉妻宏治2, 1阪大院基礎工, 2コバレントマテリアル(株), 第70回秋季応用物理学会学術講演会, 10a-P6-14, 富山大学, 09. 8-11, 2009
    6. “Mobility Behavior in Ge1-xSnx Layers Grown on SOI Substrates”, N. Tsutsui, Y. Shimura, O. Nakatsuka, A. Sakai, and S. Zaima, 2009 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), Sendai, Japan, Oct. 7-9, 2009.

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