酒井研究室 本文へジャンプ
 研究内容
ナノテクノロジーを駆使した材料の構造・物性評価 次世代ナノエレクトロニクスデバイスの創成

酒井研究室は以下の研究テーマに取り組んでいます。
結晶性トモグラフィック解析(ナノビームX線回折)
  (a)超高品質NaフラックスGaNバルク結晶の結晶性向上メカニズムの解明
  (b)超低抵抗OVPE-GaNバルク結晶の結晶性向上メカニズムの解明


窒化物半導体結晶・デバイス開発
  
(a)深紫外発光素子用nano-patterned sapphire substrate上AlN厚膜基板
   (b)第二次高調波発生素子の実現に向けた極性反転AlN薄膜の構造解析
   (c)次世代パワー素子実用化に向けたGaN結晶中転位の電流リーク機構の解明
   (d)GaN系超高速電子デバイスにおける局所圧電物性のオペランド観察


メモリスタ材料(TiO2、Ga2O3等)を用いた知能デバイス技術
  
(a)シナプス機能を模倣したTiO2,Ga2O3薄膜新規メモリスタ素子の開発
   (b)メモリスタ素子抵抗変化メカニズム解明に向けた欠陥イメージング技術開発
   (c)第一原理計算に基づくメモリスタ素子の抵抗変化メカニズムの理論解析